Исследовалась дозовая зависимость концентрации носителей заряда n(Phi), индуцированных внедрением alpha-частиц в моно- и поликристаллические пленки PbSe n- и p-типа проводимости. При облучении образцов проявляется обычная для первичных дефектов линейная зависимость концентрации носителей заряда от потока излучения. В этом предположении проведено разделение концентраций и подвижностей электронов и дырок. Показано, что преобладающими радиационными дефектами являются междоузельные атомы свинца [Рb_i]²⁺.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.