Рассмотрены горячие электроны на нижнем уровне квантовой ямы. образовавшиеся при туннельной эмиссии из одного слоя сверхрешетки в другой или под воздействием монохроматического излучения. Основное внимание обращено на случай припороговой накачки, когда начальная энергия электронов varepsilon₀ близка к пороговой энергии испускания оптических фононов hOmega₀. Найдена функция распределения электронов по энергии в зависимости от интенсивности и места накачки в предположении, что релаксационные процессы обусловлены электрон-электронными столкновениями и испусканием оптических фононов. Решается уравнение баланса, что позволяет определить электронную температуру, устанавливающуюся ниже места накачки и порога испускания оптических фононов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.