Аналитически исследуется влияние внешних однородных электрического E и магнитного H полей на межзонное многофотонное поглощение в полупроводнике сильной световой волны с частотой omega₁ и амплитудой электрического поля F₁ в присутствии другой сильной световой волны с частотой omega₀ и полем F₀. Обе световые волны считаются поляризованными параллельно магнитному полю и перпендикулярно электрическому. Получены явные выражения для мощности поглощаемого излучения P(omega₁). Спектр поглощения зависит от соотношения между расстройкой частот Omega=omega₁-omega₀ и характерной частотой Omega_R=e²F₀F₁(2muhomega₀omega₁)^-1 (mu - приведенная эффективная масса электронов и дырок). Электрическое поле E вызывает возгорание новых серий спектральных линий и сдвиг спектра в длинноволновую сторону. Поле E normal H придает изменению амплитуды высокочастотных осцилляции немонотонный характер. Путем незначительной вариации величины E можно достичь резкого изменения в поглощении.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.