Рассмотрен захват электрона в узкую приповерхностную энергетическую яму полупроводника (ПП). Показано, что эффективная скорость поверхностной рекомбинации определяется конкуренцией между процессами рекомбинации в яме, процессами рассеяния вблизи поверхности и процессами захвата в яму. Указаны условия, при которых эффективная скорость поверхностной рекомбинации S не зависит от рекомбинации на дне ямы и определяется рассеянием в приповерхностной области. Показано, что в случае малых потерь энергии в объеме ПП процессы релаксации по энергиям могут оказывать заметное ограничивающее влияние на S.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.