Получены выражения для обратного времени импульсной релаксации и мощности энергетических потерь системы двумерных носителей заряда с учетом влияния свободной поверхности и различия упругих констант полупроводника и диэлектрического слоя в МОП структуре при рассеянии на акустических фононах. Показано, что в области малоуглового рассеяния взаимодействие с поверхностными фононами приводит к усилению темпа релаксации и тем самым снимает разногласие между расчетными и экспериментальными данными для обратного времени импульсной релаксации. В области частичной неупругости существенную роль играет отражение объемных фононов от границы раздела, что приводит к подавлению темна релаксации.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.