Проведены исследования влияния импульсного лазерного облучения (ИЛО) на профиль проводимости и подвижности эпитаксиальных слоев GaAs<Ge> n-i- и n⁺-n-i-структур в нормальных условиях и в условиях повышенного давления (до 200 атм) в атмосфере Аr и O₂. Показано, что ИЛО GaAs приводит к возникновению на поверхности слабопроводящего слоя в зависимости от плотности энергии облучения E. Обсуждаются возможные причины снижения активности примеси и данные электронографии по качеству поверхности образцов в зависимости от условий облучения материала.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.