Методом DLTS исследованы облученные gamma-квантами ⁶⁰Со барьеры Шоттки, изготовленные на твердых растворах Ge_1-xSi_x (0=< x=<0.04), легированных сурьмой. Получены основные параметры радиационных дефектов, изучены кинетика дефектообразования на начальных стадиях облучения и влияние отжига на термическую стабильность радиационных дефектов. Предложен новый метод обработки сложных спектров DLTS.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.