Предложен механизм релаксации неравновесного локализованного заряда, согласно? которому поставка носителей в разрешенную зону может осуществляться вследствие последовательных туннельных термостимулированных переходов с глубоких локализованных состояний на более мелкие. Проанализированы закономерности релаксации заряда для двух типов энергетического спектра локализованных состояний: при наличии двух моноэнергетических уровней и для экспоненциального распределения ловушек по энергиям. В последнем случае показано, что если температура является достаточно низкой (T<E₀), то вероятность заселенности глубокого локализованного состояния описывается законом Кохралика < q(E)>~=exp [-(E₀/T)³ (W(E)t)^gamma], где T - абсолютная температура в энергетических единицах, E₀ - характерный энергетический масштаб изменения плотности локализованных состояний, W(E) - темп термического выброса носителей с уровней глубиной E, t - время релаксации, а показатель gamma=T/E₀ < 1.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.