Показано, что в поверхностном слое полупроводника, освещаемого лазерным излучением, возможна генерация акустических колебаний решетки в условиях, когда концентрация электронно-дырочной плазмы существенным образом контролируется оже-процессами. Учитывается зависимость скорости оже-рекомбинации от параметров зонной структуры полупроводника, которые меняются при деформации. Исследованы два механизма акустической неустойчивости, связанные с деформационным и тепловым механизмами смещения в звуковой волне соответственно.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.