Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние рассогласования параметров решеток на структурные, оптические и транспортные свойства слоев InGaAs, выращиваемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках InP (100)

Жуков А.Е.¹, Егоров А.Ю.¹, Устинов В.М.¹, Цацульников А.Ф.¹, Максимов М.В.¹, Фалеев Н.Н.¹, Копьев П.С.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 31 января 1996 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 1996 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано влияние напряжения рассогласования на структурные, транспортные и оптические свойства толстых слоев InGaAs, выращенных на подложках InP (100) методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Обнаружено, что слои с напряжением растяжения могут быть выращены с большим рассогласованием до начала пластической релаксации напряжения по сравнению со слоями с напряжением сжатия. Критическое рассогласование для толстых слоев InGaAs не описывается с достаточной точностью ни моделью механического равновесия, ни моделью баланса энергии. Диапазон рассогласования, необходимый для получения высоких значений подвижности носителей и эффективности излучательной рекомбинации в слоях InGaAs, выращенных на подложках InP, существенно уже диапазона псевдоморфного роста. Наибольшие подвижности и наименьшие ширины пика фотолюминесценции достигаются в слоях, согласованных по параметру решетки с подложкой, а также в слоях, слабо обогащенных галлием. Исследована зависимость ширины запрещенной зоны от состава с учетом влияния напряжения.

J. Lee, W.F. Mayo, T. Tsakalakos. J. Electron. Matter., 21, 867 (1992)
W.J. Bartels, W. Nijman. J. Cryst. Growth, 44, 518 (1978); F. Genova, G. Morello, C. Rigo. J. Vac. Sci. Technol. B, 5, 811 (1987)
J.W. Matthews. J. Vac. Sci. Technol., 12, 126 (1975)
R. People, J.C. Bean. Appl. Phys. Lett., 47, 322 (1985)
M. Tacano, Y. Sugiyama, Y. Takeuchi, Y. Ueno. J. Electron. Matter., 20, 1081 (1991)
Н.А. Берт, А.Т. Гореленок, С.Г. Конников, В.Е. Уманский, А.С. Усиков. ЖТФ, LI, 1018 (1981)
A. Salokatve, M. Hovinen. J. Appl. Phys., 67, 3378 (1990)
А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, В.М. Устинов. ФТП, 28, 604 (1994)
D.J. Arent, K.Deneffe, C. VanHoof, J. DeBoek, G. Borghs. J. Appl. Phys., 66, 1739 (1989)
G. Ji, D. Huang, U.K. Reddy, T.S. Henderson, R. Houdre, H. Morkoc. J. Appl. Phys., 62, 3366 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель