Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Аккумуляция носителей и сильные приэлектродные поля в освещаемых высокоомных МДПДМ структурах

Резников Б.И.¹, Царенков Г.В.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 20 декабря 1995 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 1996 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Теоретически исследовано влияние туннельной прозрачности диэлектрического слоя T_n,p на распределение электрического поля и зависимость ток-интенсивность j-I_i в чистой высокоомной сильно смещенной структуре металл-диэлектрик-полупроводник-диэлектрик металл (МДПДМ). Показано, что с уменьшением T_n,p носители аккумулируются вблизи электродов противоположной полярности, и их плотность резко возрастает в слоях толщиной порядка l_k=kT/eE_e (E_e=V/d). Определена область параметров, в которой эффекты аккумуляции столь велики, что поле вблизи электродов заметно растет, и его значения существенно превышают среднее поле. Зависимость тока от прозрачности определяется барьером Шоттки. При умеренных полях, если фототок много больше темнового, плотность тока с уменьшением T_n,p слабо растет, стремясь к максимальному значению eI_i. При сильных полях ток резко растет из-за инжекции носителей через пониженный потенциальный барьер.

П.Г. Кашерининов, Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 26, 1480 (1992)
Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 27, 1262 (1993)
Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 28, 242 (1994)
Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 28, 867 (1994)
Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 28, 1788 (1994)
Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 29, 1430 (1995)
Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 29, 2189 (1995)
M.A. Green, J. Shewchun. Sol. St. Electron., 17, 349 (1974)
А.А. Саченко, О.В. Снитко. Фотоэффекты в приповерхностных слоях полупроводников (Киев, Наук. думка, 1984)
Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 25, 1922 (1991)
В.И. Стриха. Теоретические основы работы контакта металл--полупроводник (Киев, Наук. думка, 1974) с. 36
J.G. Simmons, G.W. Taylor. Sol. St. Electron., 29, 287 (1986)
А.А. Гуткин, В.Е. Седов. ФТП, 10, 1589 (1976)
Н. Мотт, Р. Герни. Электронные процессы в ионных кристаллах (М., ИИЛ, 1950) с. 194

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель