Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Формирование порядка в системе локализованных зарядов неупорядоченных слоев твердых растворов теллурида и сульфида кадмия

Беляев А.П.¹, Рубец В.П.¹, Калинкин И.П.¹

¹Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия Saint-Petersburg State Institute of Technology (Technical University), St. Petersburg, Russia

Saint-Petersburg State Institute of Technology (Technical University), St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 19 февраля 1996 г.

Выставление онлайн: 20 января 1997 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изучены релаксационные процессы в слоях твердых растворов CdTe_xS_1-x (x<0.2), стимулированные изменением внешнего электрического поля, температуры и освещенности. Выявлены поляризационные эффекты, максимумы инверсионного тока фото- и термостимулированной поляризации. Показано, что все особенности релаксационных процессов можно объяснить в рамках квазидипольной модели, а инверсионные максимумы тока можно интерпретировать как следствие фото- и термостимулированного перехода типа порядок-беспорядок.

А.П. Беляев, И.П. Калинкин, В.А. Санитаров. ФТП, 17, 1337 (1983)
А.Я. Шик. Неоднородные и примесные полупроводники во внешних полях (Кишинев, Штиинца, 1979) с. 22
A.P. Belyaev, I.P. Kalinkin. Thin Sol. Films, 158, 25 (1988)
Б.И. Шкловский. ФТП, 13, 93 (1979)
А.П. Беляев, И.П. Калинкин, В.А. Санитаров. ФТП, 19, 154 (1985)
R.M. Ramovi\^c, D.A. Tjapkin, I.P. Marinovi\^c. Proc. VII Yugoslav. Symp. Physics Condens. Matter. (Ohrid, 1980) p. 50
P. Miller. Phys. St. Sol. (a), 67, 11 (1981)
I. Vanderschueren, A. Linkens, I. Gosiot. J. Appl. Phys., 51, 4967 (1980)
Ю.А. Гороховатский, Г.А. Бордовский. Термоактивационная токовая спектроскопия высокоомных полупроводников и диэлектриков (М., Наука, 1991)
С.А. Кукушкин, В.В. Слезов. ФТТ, 29, 3657 (1987)
О.В. Снитко. Физические основы полупроводниковой электроники (Киев, Наук. думка, 1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель