Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Моделирование распределения водорода при инжекции электронов в пленках SiO2 в сильных электрических полях
1Институт вычислительных технологий СО РАН, Новосибирск, Россия 
Поступила в редакцию: 19 апреля 1995 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1997 г.
Предлагается новая теоретическая модель для описания поведения водорода при инжекции электронов из контактов в тонких пленках rmSiO2 в сильных полях. Горячие электроны выбивают с оборванных связей SiO-, Si- водород, создавая ловушки для электронов и дырок. Выполнены расчеты по перераспределению водорода и накоплению заряда в rmSiO2. Из обработки экспериментальных данных [3] определены сечения реакции образования водорода sigmarmH~=6·10-20 rmсм2 и частота фотогенерации водорода nurmph=2·10-6 rmс-1. Дано объяснение накоплению аномального положительного заряда в пленке rmSiO2.
- А.П. Барабан, В.В. Булавинов, П.П. Коноров. Электроника слоев rmSiO2 на кремнии (Л., ЛГУ, 1988)
- В.А. Гриценко. Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП структурах (Новосибирск, Наука, 1993)
- D.A. Buchanan, D.J. DiMaria, A.D. Marwick, L. Dory. J. Appl. Phys., 76, 3595 (1994)
- C. Bulucea. Sol. St. Electron, 18, 467 (1975)
- M. Fischetti, R. Gastaldi, F. Maggioni, A. Modelli. J. Appl. Phys., 53, 3129 (1982)
- M. Fischetti, R. Gastaldi, F. Maggioni, A. Modelli. J. Appl. Phys., 53, 3135 (1982)
- S.K. Lai. J. Appl. Phys., 54, 2540 (1983)
- C.T. Sah, Y.C. Cun, J.T. Tzou. J. Appl. Phys., 54, 2547 (1983)
- R. Gale, F.J. Feigle, C.W. Magge. J. Appl. Phys., 54, 6938 (1983)
- Ю.В. Горелкинский, Н.Н. Невинный, Е.А. Люц. Поверхность, 6, 79 (1994)
- M.V. Fischetti, D.J. DiMaria, S.D. Brorson, T.N. Theis, J.R. Kirtley. Phys. Rev. B., 31, 8124 (1985)
- Г.В. Гадияк, С.П. Синица, И.В. Травков. Микроэлектроника, 15, 448 (1988)
- C.T. Sah, Sol. St. Electron., 33, 147 (1990)
- V.O. Sokolov, V.B. Sulimov. Phys. St. B., 135, 369 (1986)
- M.V. Fischetti. Phys. Rev. B., 31, 2099 (1985).
- G.V. Gadiyak, V.A. Gritsenko, K.A. Nasyrov, Yu.A.Perchilo. Technical Digest 1993, Int. Conf. on VLSI and CAD (Taejon, Korea, November 15--17, 1993) P. 159
- J.N. Churchill, F.E. Holmstrom, T.W. Collins. Adv. Electron. and Electron Phys., 58, 1 (1981).
- В.А. Гуртов, А.И. Назаров, И.В. Травков. ФТП, 24, 969 (1990)
- Г.В. Гадияк. Автометрия, 4, 31 (1995)
- K.F. Schuegraft, C. Hu. IEEE Trans. Electron. Dev., 41, 761 (1994)
- D.A. Buchanan, M.V. Fischetti, D.J. DiMaria. Phys. Rev. B., 43, 1471 (1991)
- А.Е. Бендер, Г.Б. Семушкин, К.Л. Темников. Электрон. техн., 6, 53 (1988)
- H.S. Withan, P.M. Lenahan. Appl. Phys. Lett., 51, 1007 (1987)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
