Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние облучения электронами на электрофизические свойства сплавов n-Pb1-xSnxTe (x~= 2)
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия 
Поступила в редакцию: 26 февраля 1996 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1997 г.
Исследовано влияние облучения электронами (Trmirr~=300 K, E=6 МэВ, Phi=<4·1017rmсм-2) на электрофизические свойства rmPb1-xrmSnxrmTe n-типа. Показано, что облучение вызывает уменьшение концентрации электронов и n-p-конверсию типа проводимости. Определена разностная скорость генерации дефектов донорного и акцепторного типа при облучении. На зависимостях электрофизических параметров облученных образцов от температуры и магнитного поля обнаружены аномалии, связанные с возникновением поверхностного слоя, обогащенного дырками, при облучении.
- Н.Б. Брандт, Е.П. Скипетров, А.Г. Хорош. ФТП, 24, 51 (1990)
- Н.Б. Брандт, Е.П. Скипетров, А.Г. Хорош. ФТП 26, 888 (1992)
- А.Н. Некрасова, Д.В. Пелехов, В.И. Сидоров, Е.П. Скипетров. Неорг. матер., 28, 2272 (1992)
- R.L. Petritz. Phys. Rev. 110, 1254 (1958)
- В.И. Петровский, Н.Н. Соловьев, Э.М. Омельяновский, В.С. Ивлева. ФТП, 12, 1904 (1978)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
