Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Люминесцентные свойстава слоев нитрида галлия, выращенных газофазной эпитаксией в хлоридной системе на подложках карбида кремния
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 3 декабря 1996 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1997 г.
Проведено исследование люминесцентных свойств нелегированных эпитаксиальных слоев нитрида галлия, выращенных газофазной эпитаксией в хлоридной системе на подложках карбида кремния. В спектрах фото- и катодолюминесценции зарегистрированы краевая полоса (361 нм, 96 K) и дефектные полосы (380, 430, 560 нм, 96 K). Обнаружено, что параметры полос краевой и дефектной люминесценции для исследованных слоев GaN не зависят от кристаллического совершенства подложки, а определяются условиями выращивания, в частности положением образца в реакторе. Показано, что существует характерная симметрия распределения люминесцентных свойств слоя по поверхности образцов относительно направления газового потока в реакторе. Установлена корреляция между параметрами краевой и синей полос люминесценции и концентрацией электрически активной примеси в эпитаксиальном слое.
- S. Nakamura, M. Senoh, T. Mukai. Appl. Phys. Lett., 62, 2390 (1993); H. Morkoc, S. Strite, G.B. Gao, M.E. Lin, B. Sverdlov, M. Burns. J. Appl. Phys., 76, 1363 (1994); S. Nakamura, M. Senoh, N. Isawa, S. Nagahama. Jpn. J. Appl. Phys. Lett., 34, L797 (1995)
- S. Nakamura. Proc. Int. Symp. on Blue Laser and Light Emitting Diodes (Chiba Univ., Japan, 1996) p. 119
- S. Strite, H. Morkoc. J. Vac. Sci. Technol., B10, 1237 (1992)
- A.O. Lebedev, Yu.V. Melnik, A.M. Tsaregorodtsev. Inst. Phys. Conf. Ser. 137, Chap. 4 (1994) p. 405
- Yu. Melnik, I.P. Nikitina, A.S. Zubrilov, A.A. Sitnikova, Yu.G. Musikhin, V.A. Dmitriev. Inst. Phys. Conf. Ser. 142, Chap. 5 (1996) p. 863
- A.E. Nikolaev, Yu.V. Melnik, M.N. Blashenkov, N.I. Kuznetsov, I.P. Nikitina, A.S. Zubrilov, D.V. Tsvetkov, V.I. Nikplaev, V.A. Dmitriev, V.A. Soloviev. MRS Internet J. Nitride Semicond. Research, 1, 45 (1996) (http://nsr.mij.org/1/45)
- J.I. Pankove, S.S. Chang, H.C. Lee, R.J. Molnar, T.D. Moustakas, B. Van Zeghbroeckin. Proc. Int. Electron. Dev. Meeting (1994) p. 389
- Yu. Melnik, I.P. Nikitina, A.E. Nikolaev, D.V. Tsvetkov, A.A. Sitnikova, V.A. Dmitriev. Abstracts 1st European Conf. on Silicon Carbide and Related Mater (Heraklion, Greece, 1996) p. 79
- D.K. Nelson, M.A. Jakobson, Yu. Melnik, A.V. Selkin. Abstracts Topical Workshop on III--V Nitrides (Nagoya, Japan, 1995) P-4
- V. Dmitriev, K. Irvine, J. Edmond, A. Sitnikova, Yu. Musikhin, N. Bert, A. Zubrilov, V. Nikolaev, I. Nikitina, Yu. Melnik, A. Babanin, A. Tsaregorodtsev. Abstracts 11th Int. Conf. on Crystal Growth (Hague, Netherlands, 1995) p. 135; V. Dmitriev, K. Irvine, G. Bulman, J. Edmond, A. Zybrilov, V. Nikolaev, I. Nikitina, D. Tsvetkov, A. Babanin, A. Sitnikova, Yu. Musikhin, N. Bert. (to be published).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
