Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Механизм многозначной анизотропии электропроводности двойных гетероструктурных ям и сверхрешеток

Грибников З.С.¹

¹Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина

Поступила в редакцию: 4 июля 1996 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 1997 г.

PDF версия

Предложен новый механизм многозначной анизотропии продольной электропроводности двухъямных и многоямных гетерструктур на основе многодолинных полупроводников. Механизм основан на предположении о том, что при разогреве электронного газа межъямная термоэлектронная эмиссия через невысокий потенциальный барьер становится доминирующим каналом электронных переходов между ямами и что межъямные переходы с сохранением долины могут быть чаще междолинных. Учетены внутренние электрические напряжения на барьерах, возникающие вследствие различного междолинного перераспределения в ямах.

З.С. Грибников, В.В. Митин. Письма ЖЭТФ, 14, 272 (1971)
М. Аше, З.С. Грибников, В.В. Митин, О.Г. Сарбей. Горячие электроны в многодолинных полупроводниках (Киев, Наук. думка, 1982)
M. Asche. In: Hot Electron Transport in Semiconductors, ed. by L. Reggiani (Springer Verlag, Berlin, 1985) p. 149
M. Asche. Sol. St. Electron., 32, 1633 (1989)
З.С. Грибников, А.Н. Коршак. ФТП, 28, 963 (1994)
R. People, J.C. Bean. Appl. Phys. Lett., 48, 538 (1986)
В.И. Гавриленко, И.Н. Козлов, О.А. Кузнецов, М.Д. Молдавская, В.В. Никаноров, Л.К. Орлов, А.Л. Чернов. Письма ЖЭТФ, 59, 348 (1994).
V.J. Aleshkin, N.A. Bekin, I.V. Erofeeva, V.I. Gavrilenko, Z.F. Krasil'nik, O.A. Kuznetsov, M.D. Moldavskaya, V.V. Nikonorov, V.M. Tsvetkov. Lithuan. J. Phys., 35, 368 (1995)
E. Murukami, K. Nakagava, A. Nishida, M. Miyao. IEEE Electron. Dev. Lett., 12, 71 (1991).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель