Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Эффект положительного магнитосопротивления в пленках ферромагнитного полупроводника Eu1-xSmxO
1Саратовский государственный университет, Саратов, Россия 
Поступила в редакцию: 12 мая 1996 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1997 г.
Рассмотрен эффект положительного магнитосопротивления в пленке ферромагнитного полупроводника Eu1-xSmxO, который не является характерным для данного класса материалов. Исследовано влияние на эффект положительного магнитосопротивления внешних магнитного и электрического полей, температуры. Показано, что величина магнитосопротивления Deltarho/rho0 определяется рассеянием свободных носителей заряда на пространственных флуктуациях намагниченности, которые обусловлены неравномерным распределением дефектов в структурно-неупорядоченной системе (квазиаморфная пленка).
- Э.Л. Нагаев. Физика магнитных полупроводников (М., Наука, 1979)
- В.Ф. Кабанов. ФТП, 26, 1837 (1992)
- О.С. Вдовин, В.Н. Котелков, В.А. Рожков и др. Пленки оксидов редкоземельных элементов в МДМ и МДП структурах (Саратов, Изд-во Сарат. ун-та, 1983)
- В.Г. Бамбуров, А.С. Борухович, А.А. Самохвалов. Введение в физико-химию ферромагнитных полупроводников (М., Металлургия, 1988)
- В.А. Кашин, Э.Л. Нагаев, Письма ЖЭТФ, 21, 126 (1975)
- В.Ф. Кабанов, А.М. Свердлова. ФТП, 25, 1388 (1991)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
