Эффект положительного магнитосопротивления в пленках ферромагнитного полупроводника Eu1-xSmxO
Кабанов В.Ф.1, Свердлова А.М.1
1Саратовский государственный университет, Саратов, Россия
Поступила в редакцию: 12 мая 1996 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1997 г.
Рассмотрен эффект положительного магнитосопротивления в пленке ферромагнитного полупроводника Eu1-xSmxO, который не является характерным для данного класса материалов. Исследовано влияние на эффект положительного магнитосопротивления внешних магнитного и электрического полей, температуры. Показано, что величина магнитосопротивления Deltarho/rho0 определяется рассеянием свободных носителей заряда на пространственных флуктуациях намагниченности, которые обусловлены неравномерным распределением дефектов в структурно-неупорядоченной системе (квазиаморфная пленка).
- Э.Л. Нагаев. Физика магнитных полупроводников (М., Наука, 1979)
- В.Ф. Кабанов. ФТП, 26, 1837 (1992)
- О.С. Вдовин, В.Н. Котелков, В.А. Рожков и др. Пленки оксидов редкоземельных элементов в МДМ и МДП структурах (Саратов, Изд-во Сарат. ун-та, 1983)
- В.Г. Бамбуров, А.С. Борухович, А.А. Самохвалов. Введение в физико-химию ферромагнитных полупроводников (М., Металлургия, 1988)
- В.А. Кашин, Э.Л. Нагаев, Письма ЖЭТФ, 21, 126 (1975)
- В.Ф. Кабанов, А.М. Свердлова. ФТП, 25, 1388 (1991)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
