Гашение атомами меди обусловленной дефектами EL2 люминесценции в арсениде галлия
Воробкало Ф.М.1, Глинчук К.Д.1, Прохорович А.В.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 10 июня 1996 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1997 г.
Показано, что введение атомов меди в кристаллы арсенида галлия, содержащего антиструктурные дефекты EL2, приводит к практически полному исчезновению индуцированных последними полос люминесценции с положением максимумов излучения hnum=0.63 и 0.68 эВ. Отмеченное обусловлено дезактивацией дефектов EL2 вследствие их взаимодействия с атомами меди, приводящей к образованию электрически неактивных комплексов EL2-Cu.
- А.Н. Георгибиани, И.М. Тигиняну. ФТП, 22, 3 (1988)
- К.Д. Глинчук, В.И. Гурошев, А.В. Прохорович. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., вып. 24, 66 (1992)
- D.J. Chadi. Phys. Rev. B, 46, 15053 (1992)
- Q.M. Zhang, J. Bernholc. Phys. Rev. B, 47, 1667 (1993)
- C.Y. Chang, F. Kai. GaAs high-speed devices physics, technology, and circuit applications (N.Y., 1994) p. 48
- R.A. Morrow. J. Appl. Phys., 78, 3843 (1995)
- R.A. Morrow. J. Appl. Phys., 78, 5166 (1995)
- W.J. Moore, R.L. Henry, S.B. Saban, J.S. Blakemore. Phys. Rev. B, 46, 7229 (1992)
- B.H. Yang, H.P. Gislason. In: Proc. 18 Int. Conf. Def. Semicond. (Sendai, Japan, 1995) p. 713 [Mater. Sci. Forum, 196--201, 713 (1995)].
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук