Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование параметров глубоких центров в эпитаксиальных слоях n-6H SiC, полученных газофазной эпитаксией

Лебедев А.А.¹, Давыдов Д.В.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 28 ноября 1996 г.

Выставление онлайн: 20 августа 1997 г.

PDF версия

Методами емкостной спектроскопии проведено исследование эпитаксиальных слоев 6H-SiC, полученных газофазной эпитаксией. Показано, что в исследованных образцах имеются те же глубокие центры, которые ранее были обнаружены в эпитаксиальных слоях SiC, полученных сублимационной эпитаксией. Однако суммарная концентрация глубоких акцепторов в структурах, изготовленных газофазной эпитаксией, на 2/3 порядка меньше, чем в эпитаксиальных пленках, полученных сублимационной эпитаксией при том же значении N_d-N_a. Высказываются предположения о возможном влиянии условий роста эпитаксиальных слоев на концентрацию и тип образующихся в них дефектов.

J.W. Palmor, J.A. Edmond, H.S. Kong, C.H. Carter, Jr. Physica B, 185, 461 (1993)
O. Kordina, J.P. Bergman, A. Henry, E. Jansen, S. Savage, J. Andre, L.P. Ramberg, U. Lindefelt, W. Hermansson, K. Bergman. Appl. Phys. Lett., 67, 1561 (1995)
A.A. Lebedev, A.S. Tregubova, A.A. Glagovskii, M.P. Scheglov, V.E. Chelnokov. Abstracts E-MRS Conf. June 4--7, Strasbourg, France (1996) p. A-15
A.A. Lebedev, A.M. Strel'chuk, S. Ortolland, C. Raynaud, M.L. Locatelli, D. Planson, J.P. Chante. Inst. Phys. Conf. (IOP, Bristol, 1996) N 142, Chapter 4, p. 701
N.S. Savkina, A.A. Lebedev, M.G. Rastegaeva, A.M. Strel'chuk, A.A. Mal'tsev, V.E. Chelnokov, N.K. Poletaev. Inst. Phys. Conf. (IOP, Bristol, 1996) N 142, Chapter 3, p. 501
G.G.B. Garret, W.H. Brattain. Phys. Rev. B, 19, 376 (1970).
А.А. Лебедев, Д.В. Давыдов, К.И. Игнатьев. ФТП, 30, 1865 (1996)
D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
Н.И. Кузнецов. ПТЭ, N 6, 163 (1990)
A.A. Lebedev, V.E. Chelnokov. Diamond films and Related Mater., 3, 1393 (1994)
М.М. Аникин, А.А. Лебедев, А.Л. Сыркин, А.В. Суворов. ФТП, 19, 114 (1985)
В.С. Баландович. ФТП, 25, 287 (1992)
А.Н. Андреев, М.М. Аникин, А.А. Лебедев, Н.К. Полетаев, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков. ФТП, 28, 729 (1994)
В.В. Макаров, Н.Н. Петров. ФТТ, 8, 1272 (1966)
А.А. Лебедев, М.П. Щеглов, Т.В. Соколова. Письма ЖТФ, 16, 49 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель