Исследовано накопление структурных дефектов в Si при имплантации одноатомных и двуатомных ионов азота в эквивалентных условиях, т. е. при одинаковых энергиях в расчете на атом, и плотностях потоков атомов. Молекулярный эффект в накоплении дефектов наблюдался лишь при таких дозах, когда степень повреждения решетки кристалла превышала 0.15. В этих условиях ион N⁺₂ создавал такое же число устойчивых дефектов, как 6 ионов N⁺₁. В наших экспериментах (30 кэВ для потока N⁺₁ и 60 кэВ для N⁺₂ при комнатной температуре) дозы аморфизации равны 3.75· 10¹⁵ и 1.25· 10¹⁵ ион/см² для N⁺₁ и N⁺₂ соответственно.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.