Исследование структурных свойств слоев GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах
Галиев Г.Б.1, Имамов Р.М.1, Медведев Б.К.1, Мокеров В.Г.1, Мухамеджанов Э.Х.1, Пашаев Э.М.1, Чеглаков В.Б.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 20 марта 1996 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1997 г.
Представлены результаты исследования структурного совершенства эпитаксиальных пленок GaAs, выращенных с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах роста (240-300oC) и разных соотношениях потоков As и Ga (от 3 до 13). На кривых дифракционного отражения выявлены характерные особенности для указанных образцов до и после отжига в диапазоне температур от 300 до 800oC. Выдвинуты предположения, объясняющие эти особенности. Установлен диапазон изменения соотношения потоков мышьяка и галлия, при котором происходит низкотемпературный рост в условиях, близких к стехиометрическому.
- M. Kaminska, Z. Liliental-Weber, E.R. Weber, T. George, J.B. Kortright, F.M. Smith, B.Y. Tsaur, A.R. Calawa. Appl. Phys. Lett., 54, 1881 (1989)
- D.C. Look. J. Appl. Phys., 70, 3148 (1991)
- Н.А. Берт, А.И. Вейнгер, М.Д. Вилисова, С.И. Голощапов, И.В. Ивонин, С.В. Козырев, А.Е. Куницын, Л.Г. Лаврентьева, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков, В.В. Чалдышев, М.П. Якубеня. ФТТ, 35, 2609 (1993).
- J.K. Luo, H. Thomas, D.V. Morgan, D. Westwood. Appl. Phys. Lett., 64, 3614 (1994)
- B. Nabet, A. Paolella, P. Cooke, M.L. Lemuene, P.R. Moerkirk, L.-C. Lion. Appl. Phys. Lett., 64, 3151 (1994)
- L.-W. Yin, Y. Hwang, J.H. Lee, R.J. Trew, U.K. Mishra. IEEE Electron. Dev. Lett., 11, 561 (1990)
- M.R. Melloch, D.C. Miller, B. Das. Appl. Phys. Lett., 54, 943 (1989)
- J.-F.B. Lin, C.P. Kocot, D.E. Mars, R. Jaeger. IEEE Trans. Electron. Dev., 37, 46 (1990)
- T.M. Cheng, C.Y. Chang, T.C. Chang, J.H. Huang, M.F. Huang. Appl. Phys. Lett., 64, 3626 (1994)
- T.M. Cheng, C.Y. Chang, A. Chin, M.F. Huang, J.H. Huang. Appl. Phys. Lett., 64, 2517 (1994)
- T.M. Cheng, A.Chin, C.Y. Chang, M.F. Huang, K.Y. Hsien, J.H. Huang. Appl. Phys. Lett., 64, 1546 (1994).
- А.М. Афанасьев, Р.М. Имамов, В.Г. Мокеров, А.В. Маслов, Э.Х. Мухамеджанов, Д.В. Новиков, Э.М. Пашаев, В.С. Игнатьев, А.А. Зайцев. Тр. ФТИАН, 63, (1993)
- M. Missous, S.O.'Hagan. J. Appl, Phys., 75, 3396 (1994)
- F.W. Smith, H.Q. Le, V. Diadiuk, M.A. Hollis, A.R. Calawa, S. Gupta, M. Frankel, D.R. Dykaar, G.A. Mourou, T.Y. Hsiang. Appl. Phys. Lett., 54, 890 (1989)
- D.C. Look, D.S. Walters, M.O. Manasreh, J.R. Sizelove, C.E. Stutz. Phys. Rev. B, 42, 3578 (1990)
- A.C. Warren, J.M. Woodall, J.L. Freeouf, D. Grischkowsky, D.T. Mclnturff, M.R. Melloch, N. Otsuka. Appl. Phys. Lett., 57, 1331 (1990)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук