Влияние облучения быстрыми нейтронами на интенсивность обусловленной атомами меди полосы люминесценции с hnum=1.01 эВ в n-GaAs
Глинчук К.Д.1, Прохорович А.В.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 24 сентября 1996 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1997 г.
Изучено влияние нейтронного облучения (энергия E=2 МэВ, поток Phi=1013/ 1015 см-2) и последующих отжигов (температура отжига Ta=400/ 700oC, длительность 30 мин) кристаллов n-GaAs<Te,Cu> с исходной концентрацией носителей n0=2· 1018см-3 на интенсивность обусловленной атомами меди полосы люминесценции с положением максимума излучения hnum=1.01 эВ. Наблюдалось значительное увеличение интенсивности полосы в результате облучения. Это объясняется радиационно-стимулированным возрастанием концентрации излучающих центров (пар CuGaVAs) вследствие эффективного взаимодействия межузельных атомов меди с индуцированными облучением вакансиями галлия VGa, мышьяка VAs и дивакансиями VGaVAs.
- К.Д. Глинчук, В.И. Гурошев, А.В. Прохорович. ФТП, 27, 1030 (1993)
- К.Д. Глинчук, В.И. Гурошев, А.В. Прохорович. ФТП, 25, 82 (1991)
- Ф.М. Воробкало, К.Д. Глинчук, А.В. Прохорович. ФТП, 7, 2047 (1973)
- Л.С. Смирнов. Вопросы радиационной технологии полупроводников (Новосибирск, 1980)
- В.В. Емцев, Т.В. Машовец. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М., 1981)
- G. Dlubek, A. Dlubek, R. Krause, R. Brummer. Phys. St. Sol. (a), 107, 111 (1988)
- К.Д. Глинчук, К. Лукат, В.Е. Родионов. ФТП, 15, 1337 (1981)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук