Пешев В.В.1, Смородинов С.В.1
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 26 марта 1997 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1997 г.
Методом нестационарной емкостной спектроскопии изучалась кинетика введения центров P2 и P3 в эпитаксиальных слоях GaAs n-типа при облучении электронами с энергией 4 МэВ в температурном интервале 380/ 550oC. Показано, что скорости введения центров не зависят от температуры в этом интервале. Установлено, что концентрация центров P2 пропорциональна D0.7, а центров P3 - D0.5, где D - доза облучения.
- D. Stievenard, J.C. Bourgoin. J. Appl. Phys., 59, 743 (1986)
- V.N. Brudnyi, V.V. Peshev. Phys. St. Sol. (a), 105, K57 (1988)
- D. Pons, J.C. Bourgoin. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 18, 3839 (1985)
- В.А. Иванюкович, В.И. Карась, В.М. Ломако. ФТП, 24, 1427 (1990)
- М. Томпсон. Дефекты и радиационные повреждения в металлах (М., Мир, 1971)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.