Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 1997, выпуск 10 » Статья стр. 1230
<<<>>>
Исследование перехода от двумерного к трехмерному росту в системе InAs/GaAs с помощью дифракции быстрых электронов на отражение
Цырлин Г.Э.1, Корнеева Н.П.1, Демидов В.Н.1, Поляков Н.К.1, Петров В.Н.1, Леденцов Н.Н.2
1Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 18 апреля 1997 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1997 г.
PDF версия
С помощью специально разработанной системы регистрации и анализа картин дифракции быстрых электронов на отражение исследована динамика перехода от двухмерного к трехмерному механизму роста в гетероэпитаксиальной системе InAs/GaAs. Впервые анализ динамики изменения картин дифракции был использован для изучения кинетики образования квантовых точек. Обнаружен временной сдвиг на динамических зависимостях интенсивности дифракции на картинах, снятых при различных дифракционных углах, объясняемый различными размерами трехмерных островков на начальной стадии распада псевдоморфного слоя. При определенных условиях выращивания квантовых точек InAs/GaAs наблюдалось появление рефлексов, наклоненных на 45o по отношению к основным. Это свидетельствует об упорядочении островков в кристаллографических направлениях [001] и [010].
  1. Y.-W. Mo, B.S. Swartzentruber, R. Kariotis, M.B. Webb, M.G. Lagally. Phys. Rev. Lett., 63, 2393 (1989)
  2. R. Notzel, N.N. Ledentsov, L. Daweritz, M. Hohenstein, K. Ploog. Phys. Rev. Lett., 67, 3812 (1991)
  3. J. Tersoff, R.M. Tromp. Phys. Rev. Lett., 70, 2782 (1993)
  4. L. Goldstein, F. Glas, J.Y. Marzin, M.N. Charasse, G. Le Roux. Appl. Phys. Lett., 47, 1099 (1985)
  5. M. Grundmann, J. Christen, N.N. Ledentsov, J. Bohrer, D. Bimberg, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Richter, U. Gosele, J. Heydenreich, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Phys. Rev. Lett., 74, 4043 (1995)
  6. R. Leon, S. Fafard, D. Leonard, J.I. Merz, P.M. Petroff. Phys. Rev. B, 50, 11 687 (1994)
  7. N. Kirstaedter, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, D. Bimberg, V.M. Ustinov, S.S. Ruvimov, M.V. Maximov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, U. Richter, P. Werner, U. Gosele, J. Heydenreich. Electron. Lett., 30, 1416 (1994)
  8. D.S.I. Mui, D. Leonard, L.A. Coldren, P.M. Petroff. Appl. Phys. Lett., 66, 1620 (1995)
  9. G.E. Cirlin, G.M. Guryanov, A.O. Golubok, S.Ya. Tipissev, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, M. Grundmann, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 67, 97 (1995)
  10. G.M. Guryanov, G.E. Cirlin, V.N. Petrov, N.K. Polyakov, A.O. Golubok, S.Ya. Tipissev, E.P. Musikhina, V.B. Gubanov, Yu.B. Samsonenko, N.N. Ledentsov. Surf. Sci., 331--333, 414 (1995)
  11. В.Б. Губанов, Г.М. Гурьянов, В.Н. Демидов, В.Г. Дубровский, Н.П. Корнеева, В.Н. Петров, Н.К. Поляков, Ю.Б. Самсоненко, Г.Э. Цырлин. Науч. приборостроение, 6, N 1/2, 3 (1996)
  12. P.D. Wang, N.N. Ledentsov, C.M. Sotomayor Torres, P.S. Kop'ev, V.M. Ustinov. Appl. Phys. Lett., 64, 1526 (1994)
  13. Г.Э. Цырлин, А.О. Голубок, С.Я. Типисев, Н.Н. Леденцов, Г.М. Гурьянов. ФТП, 29, 1697 (1995)
  14. G.M. Guryanov, G.E. Cirlin, V.N. Petrov, N.K. Polyakov, A.O. Golubok, S.Ya. Tipissev, V.B. Gubanov, Yu.B. Samsonenko, N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, M. Grundmann, D. Bimberg, Zh.I. Alferov. Surf. Sci., 352--354, 651 (1996)
  15. G.M. Guryanov, G.E. Cirlin, A.O. Golubok, S.Ya. Tipissev, N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, M. Grundmann, D. Bimberg, Zh.I. Alferov. Surf. Sci., 352--354, 646 (1996)
  16. G.E. Cirlin, V.N. Petrov, N.K. Polyakov, V.N. Demidov, N.P. Korneeva, A.O. Golubok, S.Ya. Tipissev, V.G. Dubrovskii, G.M. Guryanov, M.V. Maximov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Abstracts Int. Symp. "Nanostructures: physics and technology 96" (St.Petersburg, Russia, 1996) p. 375
  17. N.P. Kobayashi, T.R. Ramachandran, P. Chen, A. Madhukar. Appl. Phys. Lett., 68, 3299 (1996)
  18. T.R. Ramachandran, R. Heitz, P. Chen, A. Madhukar. Appl. Phys. Lett., 70, 640 (1997)
  19. V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, P.S. Kop'ev, D. Bimberg. Surf. Sci., 352--354, 117 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme