Исследованы при 77 K спектры фотолюминесценции, связанные с двумерным электронным газом в модулированно-легированных гетероструктурах N-AlGaAs/GaAs с различными толщинами нелегированного спейсер-слоя d_s. Все исследованные образцы имели нелегированный сверхрешеточный буферный слой (в качестве второго гетероперехода), расположенный на расстоянии d_a ниже основного гетероперехода. Выполнен теоретический анализ полученных данных путем их сравнения со спектрами, рассчитанными на основе самосогласованного решения уравнений Шредингера и Пуассона. Для 13=< d_a=< 40 нм спектры фотолюминесценции имели две линии при энергиях фотонов hnu₁ и hnu₂ (hnu₂>hnu₁) с интенсивностями I₁ и I₂ соответственно. Эта дублетная структура связана с оптическими переходами между нижними электронными подзонами E¹_e, E²_e и низшими подзонами тяжелых E¹_hh, E²_hh и легких E¹_lh дырок. Показано, что отношение интенсивностей I₂/I₁ при снижении d_s вызвано увеличением заселенности верхней подзоны E²_e и уменьшением вероятности оптических переходов из нижней подзоны E¹_e. Сдвиг обоих линий в этом случае в сторону меньших энергий связан с увеличением изгиба зон. Показано, что изменение расстояния d_a различным образом влияет на величины I₁, I₂ и спектральное положение компонентов дублета hnu₁, hnu₂. Это связано с существенным различием пространственной протяженности волновых функций электронов Psi¹_e(z) и Psi²_e(z).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.