Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние межподзонного поглощения в валентной зоне на пороговые характеристики длинноволновых лазеров на основе InAs

Гунько Н.А.¹, Зегря Г.Г.¹, Зотова Н.В.¹, Соколова З.Н.¹, Стусь Н.М.¹, Халфин В.Б.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 2 апреля 1997 г.

Выставление онлайн: 20 октября 1997 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведен микроскопический анализ механизма внутризонного поглощения излучения дырками с переходом их в спин-орбитально отщепленную зону. Показано, что такой механизм внутризонного поглощения существенно влияет на пороговые характеристики и квантовую эффективность гетеролазеров на основе InAs. Подробно проанализированы зависимости пороговых характеристик лазера от температуры и параметров лазерной гетероструктуры с учетом нового канала внутризонного поглощения дырками.

M. Aidaraliev, N.V. Zotova, S.A. Karandashev, B.A. Matveev, N.M. Stus', G.N. Talalakin. Infr. Phys. \& Techn., 37, 83 (1996)
P.J.A. Thijs, L.F. Tiemeijer, J.J.M. Binsma, T. van Dongen. IEEE J. Quant. Electron, QE-30, 477 (1994)
М.Ш. Айдаралиев, Г.Г. Зегря, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТП, 26, 246 (1992).
G.G. Zegrya. Antimonide Related Strained Layer Heterostructures, ed. dy M.O. Manasreh (Newward, 1997)
A.R. Adams, K.C. Heasman, J. Hilton. Semicond. Sci. Technol., 2, 761 (1987).
Б.Л. Альтшулер, Е.Л. Ивченко, А.Н.Москалев, Г.Е. Пикус, Р.М. Рындин.ЖЭТФ, 85, 346 (1983)
Б.Л. Гельмонт, Г.Г. Зегря. ФТП, 25, 2019 (1991)
Б.Л. Гельмонт. ЖЭТФ, 75, 536 (1978)
Б.Л. Гельмонт, З.Н.Соколова, И.Н. Яссиевич. ФТП, 16, 592 (1982)
Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology, v. 17, Semiconductors, ed. by O. Madeling (1982)
Quantum Well Lasers, ed. by P. Zory (Academic Press, 1993)
Н.В. Зотова. Автореф. канд. дис. (Л., ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 1964)
Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах (М., Мир, 1981)
З.Н. Соколова. Автореф. канд. дис. (Л., ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 1982)
Г.Г. Зегря. Автореф. докт. дис. (СПб., ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 1995)
М.Ш. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТП, 27, 21 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель