Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Связанные с марганцем центры рекомбинации в эпитаксиальном GaAs, выращенном из расплава висмута
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Поступила в редакцию: 1 апреля 1997 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1997 г.
Изучены люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев GaAs : Mn, впервые полученных методом жидкофазной эпитаксии из расплава висмута. Показано, что легирование арсенида галлия марганцем приводит не только к образованию акцепторов -марганец на месте галлия, но и к появлению центров излучательной и безызлучательной рекомбинаций, концентрации которых возрастают при повышении уровня легирования. Сильно связанный с решеткой центр излучательной рекомбинации наблюдается впервые, и высокая концентрация таких центров обусловлена, по-видимому, методом получения материала. Определена энергия ионизации центра излучательной рекомбинации, которая равна 41 мэВ.
- by 0pt minus 0.04pt
- J.S. Blakemore, W.J. Brown, M.L. Stass, D.A. Woodbury. J. Appl. Phys., 44, 3352 (1973)
- M. Ilegems, R. Dingle, L.W. Rupp. J. Appl. Phys., 46, 3059 (1975)
- P. Kordos, L. Jansak, V. Benc. Sol. St. Electron., 18, 223 (1975)
- L. Montelius, S. Nilsson, L. Samuelson, E. Janzen, M. Ahlstrom. J. Appl. Phys., 64, 1564 (1988)
- T.C. Lee, W.W. Anderson. Sol. St. Commun., 2, 265 (1964)
- W. Schairer, M. Schmidt. Phys. Rev. B, 10, 2501 (1974)
- P.W. Yu, Y.S. Park. J. Appl. Phys., 50, 1097 (1979)
- L. Montelius, S. Nilsson, L. Samuelson. Phys. Rev. B, 40, 5598 (1989)
- Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, М.А. Рещиков. Препринт ФТИ N 1201 (Л., 1988).
- S.J.C.H.M. van Gisbergen, A.A. Ezhevkii, N.T. Son, T. Gregorkiewicz, C.A.J. Ammerlaan. Phys. Rev. B, 49, 10 999 (1994)
- F. Fabre, G. Bacquet, J. Frandon, J. Bandet, R. Taouint. Sol. St. Commun., 71, 717 (1989).
- В.В. Антонов, А.В. Войцеховский, М.А. Кривов, Е.В. Малисова, Э.Н. Мельченко, В.С. Морозов, М.П. Никифорова, Е.А. Попова, С.С. Хлудков. В сб.: Легирование полупроводников (М., Наука, 1982) с. 32
- N.A. Yakusheva, K.S. Zhuravlev, S.I. Chikichev, O.A. Shegai. Cryst. Res. Technol., 24, 235 (1989)
- Р.Х. Акчурин, И.О. Донская, С.И. Дулин, В.Б. Уфимцев. Кристаллография, 33, 464 (1988)
- Н.А. Якушева. Тез. докл. VI Всес. конф. по физико-химическим основам легирования полупроводниковых материалов (М., Наука, 1988) с. 51
- L. Gouskov, S. Bilac, J. Pimentel, A. Gouskov. Sol. St. Electron., 20, 653 (1997)
- D.C. Look, G.S. Pomrenke. J. Appl. Phys., 54, 3249 (1983)
- P.W. Yu. Phys. Rev. B, 27, 7779 (1983)
- D.L. Dexter. Sol. St. Phys., ed. by F. Seitz, D. Turnbull (N.Y., 1958) v. 6, p. 355
- К.К. Ребане. Элементарная теория колебательной структуры спектров примесных центров кристаллов (М., Наука, 1968).
- E.W. Williams, H.B. Bebb. Semiconductors and Semimetals (Academic Press, N.Y., 1972) v. 8. p. 321
- C.C. Klick, J.H. Shulman. Sol. St. Phys., ed. by F. Seitz, D. Turnbull (N.Y., 1957) v. 5, p. 97
- K.D. Glinchuk, A.V. Prokhorovich, V.E. Rodionov, V.I. Vovnenko. Phys. St. Sol. (a) 48, 593 (1978).
- Б. Ридли. Квантовые процессы в полупроводниках (М., Мир, 1986)
- Э.М. Адирович. Некоторые вопросы теории люминесценции кристаллов (М., Гос. изд-во технико-теоретической лит., 1956).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
