Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние Se на гальваномагнитные эффекты в полумагнитных полупроводниках Hg_1-xMn_xTe_1-ySe_y

Кульбачинский В.А.¹, Чурилов И.А.¹, Марьянчук П.Д.¹, Лунин Р.А.¹

¹Московский государственный университет им М.В.Ломоносова, Москва, Россия

Поступила в редакцию: 17 февраля 1997 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 1997 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

В работе исследованы гальваномагнитные свойства монокристаллов полумагнитного полупроводника Hg_1-xMn_xTe_1-ySe_y (0.01<y<0.1, x=0.05, 0.14) в интервале температур 300/4.2 K. Особенности зависимостей коэффициента Холла R_H от температуры и сложное поведение R_H в магнитном поле объясняются количественно существованием трех групп носителей тока (электроны и два типа дырок), для которых получены температурные зависимости концентраций и подвижностей. Наблюдается переход от p-типа проводимости к n-типу с увеличением содержания Se, и одновременно отрицательное магнитосопротивление сменяется положительным.

J.K. Furdyna. J. Appl. Phys., 64, R29 91988)
N.B. Brandt, V.V. Moshchalkov. Adv. Phys., 33, 194 (1984)
И.И. Ляпилин, И.М. Цидильковский. УФН, 146, 35 (1985)
Н.Б. Брандт, В.В. Мощалков, А.О. Орлов, Л. Скрбек, И.М. Цидильковский, С.М. Чудинов. ЖЭТФ, 84, 1059 (1983)
Ж.Т. Исмаилов, В.А. Кульбачинский, С.М. Чудинов, Н.П. Гавалешко, П.Д. Марьянчук. ФТП, 22, 375 (1988)
К.Р. Крылов, Н.К. Леринман, А.И. Пономарев, Л.Д. Сибирзянов, Н.Г. Шелушинина, Н.П. Гавалешко, П.Д. Марьянчук. ФТП, 28, 1382 (1994)
В.А. Кульбачинский, П.Д. Марьянчук, И.А. Чурилов. ФТП, 29, 2007 (1995)
V.A. Kulbachinskii, P.D. Maryanchuk, I.A. Churilov, M. Inoue, M. Sasaki, H. Negishi, Y. Hara. Semicond. Sci. Technol., 10, 463 (1995)
I. Ivanov-Omskii, N.N. Berchenko, A.I. Elizarov. Phys. St. Sol. (a), 103, 11 (1987)
J. Mycielski. Recent Development in Condensed Matter Physics, ed. by J.T. DeVreese (Plenum, New York, 1981) v. 1, p. 725
L.R. Gawron, J. Trylski. Lecture Notes in Physics 152, Physics of Narrow Gap Semiconductors, Proceedings of the Lintz Conference 1981, ed. by E. Gornik, H. Heinrigh, L. Palmetshofer (Berlin, Springer, 1982) p. 294
A. Mycielski, J. Mycielski. J. Phys. Soc. Jap., Suppl. A, 49, 807 (1989)
W.B. Johnson, J.R. Anderson, D.R. Stone. Phys. Rev. B, 29, 6679 (1984)
A.B. Davydov, B.B. Ponikarov, I.M. Tsidilkovskii. Phys. St. Sol. (b), 101, 127 (1980)
W.A. Beck, J.R. Anderson. J. Appl. Phys., 62, 541 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель