Вышедшие номера
Влияние Se на гальваномагнитные эффекты в полумагнитных полупроводниках Hg1-xMnxTe1-ySey
Кульбачинский В.А.1, Чурилов И.А.1, Марьянчук П.Д.1, Лунин Р.А.1
1Московский государственный университет им М.В.Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 17 февраля 1997 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1997 г.

В работе исследованы гальваномагнитные свойства монокристаллов полумагнитного полупроводника Hg1-xMnxTe1-ySey (0.01<y<0.1, x=0.05, 0.14) в интервале температур 300/4.2 K. Особенности зависимостей коэффициента Холла RH от температуры и сложное поведение RH в магнитном поле объясняются количественно существованием трех групп носителей тока (электроны и два типа дырок), для которых получены температурные зависимости концентраций и подвижностей. Наблюдается переход от p-типа проводимости к n-типу с увеличением содержания Se, и одновременно отрицательное магнитосопротивление сменяется положительным.