Исследованы электрофизические свойства слоев PbTe/KCl(KBr), выращенных методом модулированной ларезным ИК излучением эпитаксии, в области различных значений технологических параметров: плотности, мощности W лазерного излучения на мишени и температуры T_s подложки. Установелно, что температурная зависимость постоянной Холла R_H(T) определяется донорными уровнями, один из которых находится в зоне проводнимости (E_d1), а второй E_d2 - в запрещенной зоне. Плотность состояний на уровнях и их энергетическое положение зависят от условий роста.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.