Подвижность носителей заряда в двухслойных структурах PbTe / PbS
Александрова О.А.1, Бондоков Р.Ц.1, Саунин И.В.1, Таиров Ю.М.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 7 апреля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1998 г.
Методом горячей стенки на подложках BaF2 выращены эпитаксиальные гетероструктуры p-PbTe / n-PbS. Проанализированы зависимости эффективной подвижности носителей заряда, измеренной с помощью эффекта Холла, от толщины и от температуры в диапазонах 0.1/2 мкм и 100/300 K соответственно. Обнаружено, что эта подвижность зависит как от толщины образца, так и от толщины составляющих его слоев. Произведен расчет эффективной подвижности в предположении рассеяния носителей заряда на поверхности структуры и на дислокациях, образующихся на гетерогранице.
- С.С. Борисова, И.Ф. Михайлов, Л.С. Палатник, А.Ю. Сипатов, А.И. Федоренко, Л.П. Шпаковская. Кристаллография, 34, 716 (1989)
- С.Н. Давиденко, Ф.Ф. Сизов, В.В. Тетеркин. Укр. физ. журн., 38, 938 (1993)
- Т.А. Гаврикова, В.А. Зыков. ФТП, 31, 1342 (1997)
- С.Л. Милославов, И.В. Саунин, Д.А. Яськов. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 19, 55 (1983)
- В.П. Зломанов, А.В. Новоселова. P-T-x- диаграммы состояния систем металл--халькоген (М., Наука, 1987)
- P.R. Vaya, J. Majhi, B.S.V. Gopalam, C.D. Dattarreyan. Phys. St. Sol. ( a), 87, 341 (1985)
- R.L. Ramey, W.D. McLennan. J. Appl. Phys., 38 3491 (1967)
- D.L. Dexter, F. Seitz. Phys. Rev., 86, 964 (1952)
- Е.В. Кучис. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования (М., Радио и связь, 1990)
- К.Л. Чопра. Электрические явления в тонких пленках (М., Мир, 1972)
- Ю.И. Равич, Б.А. Ефимова, И.А. Смирнов. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS (М., Наука, 1968)
- Ю.В. Кочетков, В.Н. Никифоров, О.Н. Васильева, А.М. Гаськов. Вестн. МГУ. Сер. 3, Физика, астрономия, 35, 68 (1994)
- С.И. Пекар. ФТТ, 8, 1115 (1966)
- Ю.В. Корнюшин, Л.С. Мима, О.В. Третьяк. ФТП, 15, 2159 (1981)
- Г. Матаре. Электроника дефектов в полупроводниках (М., Мир, 1974)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.