Многочастичные эффекты при туннелировании электронов в структуре металл--изолятор--полупроводник p-типа
Миньков Г.М.1, Германенко А.В.1, Рут О.Э.1
1Институт физики и прикаладной математики при Уральском государственном университете, Екатеринбург, Россия
Поступила в редакцию: 13 октября 1997 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1998 г.
Исследована туннельная проводимость структур, изготовленных на сильно легированном узкощелевом полупроводнике p-типа HgCdTe. Обнаружено резкое возрастание туннельной проводимости sigmad(V) при напряжениях, соответствующих началу туннелирования в зону проводимости. Показано, что наблюдаемые зависимости sigmad(V) не удается описать в рамках модели одночастичного туннелирования. Предположено, что резкий рост sigmad(V) связан с туннелированием в экситонные состояния.
- Туннельные явления в твердых телах (М., Мир, 1973)
- B.L. Altshuler, A.G. Aronov. Sol. St. Commum., 30, 115 (1979)
- Г.М. Миньков, О.Э. Рут, В.А. Ларионова, Л.В. Германенко. ЖЭТФ, 105, 719 (1994)
- P. Sobkowicz, Semicond. Sci. Technol., 5, 183 (1990)
- A.V. Germannko, G.M. Minkov, V.A. Larionova, O.E. Rut, C.R. Becker, G. Landwehr. Phys. Rev. B, 52, 17 254 (1995)
- L.S. Levitov, A.V. Shutov. Preprint: cond-mat / 9501130, cond-mat / 9607136
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
