Вышедшие номера
О токопереносе в пористом p-Si и структурах Pd--<пористый Si>
Слободчиков С.В.1, Салихов Х.М.1, Руссу Е.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 февраля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1998 г.

Исследованы механизмы токопрохождения в температурном интервале 78/300 K в пористом p-Si и структурах Pd-p-por-Si. Показано, что при 78 K определяющим является дрейфовый перенос при участии глубоких ловушек с концентрацией Nt~1.3·1013 см-3. При более высоких температурах преобладает диффузионный механизм с I~ exp(-qV/nkT) и n=10/20. Процессы релаксации обратного тока и фототока (восходящая ветвь) носят затяжной характер (до t~=100 с) и определяются влиянием ловушек с глубиной Et=0.80 эВ. Температурный ход фототока (без смещения) связан с рекомбинацией на уровне Er=0.12 и его величина в основном зависит от вклада базовой области диодной структуры.