Исследованы механизмы токопрохождения в температурном интервале 78/300 K в пористом p-Si и структурах Pd-p-por-Si. Показано, что при 78 K определяющим является дрейфовый перенос при участии глубоких ловушек с концентрацией N_t~1.3·10¹³ см^-3. При более высоких температурах преобладает диффузионный механизм с I~ exp(-qV/nkT) и n=10/20. Процессы релаксации обратного тока и фототока (восходящая ветвь) носят затяжной характер (до t~=100 с) и определяются влиянием ловушек с глубиной E_t=0.80 эВ. Температурный ход фототока (без смещения) связан с рекомбинацией на уровне E_r=0.12 и его величина в основном зависит от вклада базовой области диодной структуры.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.