Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Определение скорости поверхностной рекомбинации в эпитаксиальных слоях n-CdxHg1-xTe из измерений планарного магнитосопротивления и времени релаксации неравновесных носителей заряда
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Поступила в редакцию: 7 июля 1997 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1998 г.
Измерены зависимости планарного магнитосопротивления от магнитного поля для эпитаксиальных слоев n-CdxHg1-xTe (x=0.211, 0.22) при температурах 300 и 77 K. При 77 K измерения проведены в электрическом поле ниже и выше пороговых полей для лавинной ударной ионизации. По результатам измерений планарного магнитосопротивления и времени релаксации неравновесных носителей заряда определены скорости поверхностной рекомбинации.
- G. Sarusi, A. Zemel, D. Eger, S. Ron, Y. Shapira. J. Appl. Phys., 72, 2312 (1992)
- Г.Е. Пикус. ЖТФ, 26, 22 (1956)
- D.L. Lile. J. Appl. Phys., 41, 3480 (1970)
- П.А. Бородовский, А.Ф. Булдыгин, В.Г. Ремесник. ФТП, 28, 2107 (1994)
- V.S. Varavin, S.A. Dvoretsky, V.I. Liberman, N.N. Mikhailov, Yu.G. Sidorov. Thin Sol. Films, 267, 121 (1995)
- П.А. Бородовский, А.Ф. Булдыгин. ПТЭ, N 6, 157 (1995)
- G. Nimtz, G. Bauer, R. Dornhays, K.H. Muller. Phys. Rev. B, 10, 3302 (1974)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
