Вышедшие номера
Аномалия в плотности состояний и туннельная проводимость контактов Au/p-GaAs0.94Sb0.06 вблизи перехода металл--диэлектрик
Аллен Т.Ю.1, Нажмудинов Х.Г.2, Полянская Т.А.2
1University of Tennessee, TN Chattanooga, USA
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1998 г.

Исследована аномалия туннельного тока при напряжении смещения V-> 0 на контактах Au/p-GaAs0.94Sb0.06. Эпитаксиальные слои твердого раствора p-GaAs0.94Sb0.06 были легированы германием и имели проводимость, близкую к переходу металл-диэлектрик. Наблюдалась корневая зависимость дифференциальной проводимости G(V)=(dV/dI)-1 при малых значениях V>kT, предсказанная теорией Альтшулера-Аронова для квантовых поправок к плотности состояний на уровне Ферми в разупорядоченном проводнике. Обнаружено удовлетворительное согласие экспериментальных данных с теорией при концентрации дырок в слоях (p), больших критической концентрации перехода металл-диэлектрик pc, но при p<pc относительная величина аномалии резко уменьшается. Это подтверждает особенность условия kFl<= 1 (вместо kFl>> 1) для применимости теории аномалии в плотности состояний, возникающей из-за электрон-электронных взаимодействий, в трехмерном электронном газе.