Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Аномалия в плотности состояний и туннельная проводимость контактов Au/p-GaAs0.94Sb0.06 вблизи перехода металл--диэлектрик
Аллен Т.Ю.1, Нажмудинов Х.Г.2, Полянская Т.А.2
1University of Tennessee, TN Chattanooga, USA
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1998 г.
Исследована аномалия туннельного тока при напряжении смещения V-> 0 на контактах Au/p-GaAs0.94Sb0.06. Эпитаксиальные слои твердого раствора p-GaAs0.94Sb0.06 были легированы германием и имели проводимость, близкую к переходу металл-диэлектрик. Наблюдалась корневая зависимость дифференциальной проводимости G(V)=(dV/dI)-1 при малых значениях V>kT, предсказанная теорией Альтшулера-Аронова для квантовых поправок к плотности состояний на уровне Ферми в разупорядоченном проводнике. Обнаружено удовлетворительное согласие экспериментальных данных с теорией при концентрации дырок в слоях (p), больших критической концентрации перехода металл-диэлектрик pc, но при p<pc относительная величина аномалии резко уменьшается. Это подтверждает особенность условия kFl<= 1 (вместо kFl>> 1) для применимости теории аномалии в плотности состояний, возникающей из-за электрон-электронных взаимодействий, в трехмерном электронном газе.
- Туннельные явления в твердых телах (М. Мир, 1973). [пер. с англ.: Tunneling Phenomena in Solid] (N. Y., Plenum, 1969)
- B.L. Altshuler, A.G. Aronov. Physica, 126B, 314 (1984)
- B.L. Altshuler, A.G. Aronov. In: Electron Interactions in Disordered Systems (Elsevier Science Publishers, B.V., 1985) Ch. 1, p. 1
- P.A. Lee, T.V. Ramakrishman. Peports Mod. Phys., 57, 287 (1985)
- B.L. Altshuler, A.G. Aronov. Sol. St. Commun., 30, 115 (1979)
- Б.И. Шкловский,А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
- R.C. Dynes, J.P. Garno. Phys. Rev. Lett., 46, 137 (1981)
- R. Sood. Phys. Rev. B, 25, 6064 (1982)
- Y. Imry, Z. Ovadyahu. Phys. Rev. Lett., 49, 841 (1982)
- W.L. McMillan, J. Mochal. Phys. Rev. Lett., 46, 556 (1981)
- G. Hertel, D.J. Bishop, E.G. Spencer, J.M. Rowell, R.C. Dynes. Phys. Rev. Lett., 50, 743 (1971)
- N.A. Mora, S. Bermon, J.J. Loferski. Phys. Rev. Lett., 27, 664 (1971)
- G. Mahan, J.W. Conley. Appl. Phys. Lett., 11, 29 (1967)
- N.A. Mora, S. Bermon, F.N. Pollak. Phys. Rev. Lett., 28, 225 (1972)
- N.A. Mora, J.J. Loferski, S. Bermon. Proc. Int. Conf. on radiation, damage and defects in semiconductors, Reading, Berks, England, 19--21 July 1972 (Inst. Phys., 1973) p. 103
- К.П. Абдурахманов, Ш. Мирахмедов, А. Ташабаев, С.С. Худайбердиев. ФТП, 10, 658 (1976)
- Т.Ю. Аллен, Т.А. Полянская, Х.Г. Нажмудинов, И.Г. Савельев. ФТП, 32, 579 (1998)
- Т.Ю. Аллен, Т.А. Полянская, Х.Г. Нажмудинов, С.Г. Ястребов, И.Г. Савельев. ФТП, 32, 574 (1998)
- В.Г. Каряев, Х.Г. Нажмудинов, М.В. Егорова, И.Г. Савельев. ФТП, 20, 1634 (1986)
- Л.В. Шаронова, Т.А. Полянская, Х.Г. Нажмудинов, В.Н. Каряев, Л.А. Зайцева. ФТП, 22, 93 (1988)
- Т.Ю. Бильгильдеева, В.Н. Каряев, Т.А. Полянская. ФТП, 22, 381 (1988)
- T.Yu. Bilgildeeva, T.A. Polyanskaya. Phys. St. Sol. (b), 149, 649 (1988)
- Т.Ю. Аллен, Т.А. Полянская. ФТП, 31, 587 (1997)
- A.H. Wilson. Proc. Roy. Soc. A, 136, 487 (1932)
- J. Conley, G. Mahan. Phys. Rev., 161, 681 (1967)
- W.L. McMillan, J.M. Mochel. Phys. Rev. Lett., 46, 556 (1981)
- G. Vignale, W. Hanke. Phys. Rev. B, 36, 2924 (1987)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
