Вышедшие номера
Кинетика экранирования электрического поля в области объемного заряда с каналом утечки и низкотемпературная проводимость поверхностных каналов в высокоомном n-Si
Бочкарева Н.И.1, Клочков А.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 7 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1998 г.

На основе экспериментального изучения проводимости поверхностных каналов в n-Si рассматривается кинетика экранирования электрического поля в области объемного заряда с проводящим каналом протекания. Оценены характерные времена быстрой и медленной стадий релаксации объемного заряда на границе с каналом после переключения обратного напряжения. На основе предложенного механизма релаксации тока канала объяснены наблюдающаяся большая величина высокочастотной проводимости поверхностных каналов в n-Si и формирование емкостных релаксационных спектров, подобных спектрам, традиционно связываемым с перезарядкой глубоких центров. Обсуждается природа поверхностных донорных центров, ответственных за образование проводящих слоев на интерфейсе Si-SiO2 вблизи 90 K.