Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 1998, выпуск 12 » Статья стр. 1432
<<<>>>
Кинетика экранирования электрического поля в области объемного заряда с каналом утечки и низкотемпературная проводимость поверхностных каналов в высокоомном n-Si
Бочкарева Н.И.1, Клочков А.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 7 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1998 г.
PDF версия
На основе экспериментального изучения проводимости поверхностных каналов в n-Si рассматривается кинетика экранирования электрического поля в области объемного заряда с проводящим каналом протекания. Оценены характерные времена быстрой и медленной стадий релаксации объемного заряда на границе с каналом после переключения обратного напряжения. На основе предложенного механизма релаксации тока канала объяснены наблюдающаяся большая величина высокочастотной проводимости поверхностных каналов в n-Si и формирование емкостных релаксационных спектров, подобных спектрам, традиционно связываемым с перезарядкой глубоких центров. Обсуждается природа поверхностных донорных центров, ответственных за образование проводящих слоев на интерфейсе Si-SiO2 вблизи 90 K.
  1. В.Б. Сандомирский, А.Г. Ждан, М.А. Мессерер, И.Б. Гуляев. ФТП, 7, 1314 (1973)
  2. А.Я. Винников, А.М. Мешков, В.Н. Савушкин. ФТТ, 22, 2989 (1980)
  3. D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
  4. G.L. Miller, D.V. Lang, L.C. Kimerling. Annual Review Material Science, (1977)
  5. M.C. Chen, D.V. Lang, W.C. Dautremont-Smith, A.M. Sergent, J.P. Harbison. Appl. Phys. Lett., 44, 790 (1984)
  6. W.L. Brown. Phys. Rev., 91, 518 (1953)
  7. Я.А. Фетодов. Основы физики полупроводниковых приборов. (М., Сов. радио. 1970)
  8. Н.И. Бочкарева. ФТП, 25, 537 (1991)
  9. Н.И. Бочкарева, А.В. Клочков. ФТП, 32, 82 (1998)
  10. H.A. Blackstead, J.D. Dow. J. Supercond., 9, 563 (1996)
  11. Ю.М. Байков, С.Е. Никитин, Ю.П. Степанов, В.М. Егоров. ФТТ, 39, 823 (1997)
  12. J. Kaniewski, M. Kaniewska, A.R. Peaker. Appl Phys. Lett., 60, 359 (1992)
  13. J.L. Morenza, D. Esteve. Solid St. Electron., 21, 739, (1978)
  14. J. Nishizawa, T. Terasaki, J. Shibata. JEEE Trans. Electron. Dev., ED-22, 185 (1975)
  15. А. Блихер. Физика биполярных и полевых транзисторов. (Л., Энергоатомиздат, 1986)
  16. М.И. Конторович. Операционное исчисление и процессы в электрических цепях (М., Сов. радио, 1975)
  17. С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
  18. G. Lucovsky. Proc. of the 23rd Int. Conf. on the Physics of Semicond. (Berlin, Germany, 1996) v. 2, p. 907
  19. A. Spitzer, H. Luth. Surface Sci., 118, 121 (1982)
  20. В.Д. Ткачев, Л.Ф. Макаренко, В.П. Маркевич, Л.И. Мурин. ФТП, 18, 526 (1984)
  21. P.A. Thiel, T.E. Madey. Surf. Sci. Rep., 7, 211 (1987)
  22. A.B. Anderson. Surface Sci., 105, 159 (1981)
  23. М.П. Тонконогов. УФН, 168, 29 (1998)
  24. D.L. Gricom. J. Appl. Phys., 58, 2524 (1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme