Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Кинетика экранирования электрического поля в области объемного заряда с каналом утечки и низкотемпературная проводимость поверхностных каналов в высокоомном n-Si
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 7 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1998 г.
На основе экспериментального изучения проводимости поверхностных каналов в n-Si рассматривается кинетика экранирования электрического поля в области объемного заряда с проводящим каналом протекания. Оценены характерные времена быстрой и медленной стадий релаксации объемного заряда на границе с каналом после переключения обратного напряжения. На основе предложенного механизма релаксации тока канала объяснены наблюдающаяся большая величина высокочастотной проводимости поверхностных каналов в n-Si и формирование емкостных релаксационных спектров, подобных спектрам, традиционно связываемым с перезарядкой глубоких центров. Обсуждается природа поверхностных донорных центров, ответственных за образование проводящих слоев на интерфейсе Si-SiO2 вблизи 90 K.
- В.Б. Сандомирский, А.Г. Ждан, М.А. Мессерер, И.Б. Гуляев. ФТП, 7, 1314 (1973)
- А.Я. Винников, А.М. Мешков, В.Н. Савушкин. ФТТ, 22, 2989 (1980)
- D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
- G.L. Miller, D.V. Lang, L.C. Kimerling. Annual Review Material Science, (1977)
- M.C. Chen, D.V. Lang, W.C. Dautremont-Smith, A.M. Sergent, J.P. Harbison. Appl. Phys. Lett., 44, 790 (1984)
- W.L. Brown. Phys. Rev., 91, 518 (1953)
- Я.А. Фетодов. Основы физики полупроводниковых приборов. (М., Сов. радио. 1970)
- Н.И. Бочкарева. ФТП, 25, 537 (1991)
- Н.И. Бочкарева, А.В. Клочков. ФТП, 32, 82 (1998)
- H.A. Blackstead, J.D. Dow. J. Supercond., 9, 563 (1996)
- Ю.М. Байков, С.Е. Никитин, Ю.П. Степанов, В.М. Егоров. ФТТ, 39, 823 (1997)
- J. Kaniewski, M. Kaniewska, A.R. Peaker. Appl Phys. Lett., 60, 359 (1992)
- J.L. Morenza, D. Esteve. Solid St. Electron., 21, 739, (1978)
- J. Nishizawa, T. Terasaki, J. Shibata. JEEE Trans. Electron. Dev., ED-22, 185 (1975)
- А. Блихер. Физика биполярных и полевых транзисторов. (Л., Энергоатомиздат, 1986)
- М.И. Конторович. Операционное исчисление и процессы в электрических цепях (М., Сов. радио, 1975)
- С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
- G. Lucovsky. Proc. of the 23rd Int. Conf. on the Physics of Semicond. (Berlin, Germany, 1996) v. 2, p. 907
- A. Spitzer, H. Luth. Surface Sci., 118, 121 (1982)
- В.Д. Ткачев, Л.Ф. Макаренко, В.П. Маркевич, Л.И. Мурин. ФТП, 18, 526 (1984)
- P.A. Thiel, T.E. Madey. Surf. Sci. Rep., 7, 211 (1987)
- A.B. Anderson. Surface Sci., 105, 159 (1981)
- М.П. Тонконогов. УФН, 168, 29 (1998)
- D.L. Gricom. J. Appl. Phys., 58, 2524 (1985)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
