Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Проявление процесса денейтрализации подвижного заряда в SiO₂ при спектроскопии границы раздела кремний--окисел

Дмитриев С.Г.¹, Маркин Ю.В.¹

¹Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия

Поступила в редакцию: 16 марта 1998 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 1998 г.

PDF версия

Полное число подвижных ионов в пленке окисла в МОП структуре на основе Si определялось традиционными методами вольт-фарадных и динамических вольт-амперных характеристик. Определена доля ионов, находящихся в нейтральном состоянии у границы раздела Si-SiO₂. При спектроскопии границы раздела обнаружен пик в эффективной плотности пограничных состояний. Показано, что число состояний в пике плотности соответствует количеству нейтрализованных частиц. Обсуждается механизм нейтрализации подвижного заряда ионов.

А.П. Барабон, В.В. Балавинов, П.П. Коноров. Электроника слоев SiO₂ на кремнии (Л., ЛГУ, 1988)
В.Н. Вертопрахов, Б.М. Кучумов, Е.Г. Сальман. Строение и свойства структур Si--SiO₂--M (Новосибирск, Наука, 1981)
Ю.А. Гороховатский, Г.А. Бордовский. Термоактивационная токовая спектроскопия высокоомных полупроводников и диэлектриков (М., Наука, 1991)
B.R. Singh, K. Singh. Microelectronics and Reliability, 15, 385 (1976)
Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем (М., Мир, 1985)
E. Rosencher, R. Coppard. J. Appl. Phys., 55, 971 (1984)
M.W. Hillen, D.G. Hemmes. Sol. St. Electron., 24, 773 (1981)
J.G. Hwu, J.Z. Hwang, Y.L. Chiou. Thin Sol. Films., 125, 17 (1985)
В.В. Батавин, Ю.А. Концевой, Ю.В. Федорович. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур (М., Радио и связь, 1985)
T. Hino, K. Yamashita. J. Appl. Phys., 50, 4879 (1979)
T.W. Hickmott. J. Appl. Phys., 46, 2583 (1975)
P.K. Nauta, M.W. Hillen. J. Appl. Phys., 49, 2862 (1978)
M.R. Boudry, J.P. Stagg. J. Appl. Phys., 50, 942 (1979)
С.Г. Дмитриев, Ю.В. Маркин. ФТП, 30, 1231 (1996)
А.Г. Ждан, Ю.В. Маркин. ФТП, 28, 756 (1994)
В.А. Гергель, Р.А. Сурис. ЖЭТФ, 84, 719 (1983)
J.P. Stagg, M.R. Boudry. J. Appl. Phys., 52, 885 (1981)
G. Greeuw, J.F. Verwey. Sol. St. Electron., 28, 509 (1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель