Дмитриев С.Г.1, Маркин Ю.В.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
Выставление онлайн: 19 ноября 1998 г.
Кинетика дрейфа подвижного заряда в пленках SiO2, его захват на ионные ловушки, локализованные на границе раздела Si-SiO2, и эмиссия ионов из этих ловушек исследовались с помощью измерений вольтъемкостных, динамических вольт-амперных и токов термостимулированной деполяризации диэлектрика. Компоненты (пики) токов, связанных с эмиссией захваченных на границе раздела частиц при термополевых воздействиях, выделены в явном виде. Показано, что заряд поверхностных ионов в основном нейтрализован электронами Si, а полевая зависимость токов эмиссии ионов характеризуется аномальным эффектом Шоттки, связанным с раскрытием потенциала ионных ловушек внешним полем. Обсуждается связь этих ловушек с неоднородностями потенциала - потенциальными ямами для подвижных частиц на рассматриваемой границе раздела. Отмечено, что подвижные ионы в диэлектрике могут быть использованы для диагностики неоднородностей потенциала границы раздела.
- А.П. Барабан, В.В. Булавинов, П.П. Коноров. Электроника слоев SiO2 на кремнии (Л., Изд-во ЛГУ, 1988)
- В.Н. Вертопрахов, Б.М. Кучумов, Е.Г. Сальман. Строение и свойства структур Si--SiO2--M (Новосибирск, Наука, Сиб. отд-ние, 1981)
- T.W. Hickmott. J. Appl. Phys., 46, 2583 (1975)
- P.K. Nauta, M.W. Hillen. J. Appl. Phys., 49, 2862 (1978)
- M.R. Boudry, J.P. Stagg. J. Appl. Phys., 50, 942 (1979)
- J.P. Stagg, M.R. Boudry. J. Appl. Phys., 52, 885 (1981)
- G. Greeuw, J.F. Verwey. Sol. St. Electron., 28, 509 (1985)
- A.G. Tangena, N.F. de Rooij, J. Middelhoek. J. Appl. Phys., 49, 5576 (1978)
- C. Nylander, M. Armgarth, Ch. Svenson. J. Appl. Phys., 56, 1177 (1984)
- T. Hino, K. Yamashita. J. Appl. Phys., 50, 4879 (1979)
- J.G. Hwu, J.Z. Hwang, Y.L. Chiou. Thin Sol. Films, 125, 17 (1985)
- С.Г. Дмитриев, Ю.В. Маркин. ФТП, 30, 1231 (1996)
- A.G. Tangena, J. Middelhoek, N.F. de Rooij. J. Appl. Phys., 49, 2876 (1978)
- G. Greeuw, J.F. Verwey. J. Appl. Phys., 56, 2218 (1984)
- C. Choquet, C. Plossu, M. Berenguer, B. Balland, G. Barbottin. Thin Sol. Films, 167, 45 (1988)
- А.Г. Ждан, Ю.В. Маркин. ФТП, 28, 756 (1994)
- С.М. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
- M.W. Hillen, G. Greeuw, J.F. Verwey. J. Appl. Phys., 50, 4834 (1979)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук