Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Поляризационная фоточувствительность гетеропереходов GaN/Si

Ботнарюк В.М.¹, Бельков В.В.², Жиляев Ю.В.², Раевский С.Д.¹, Рудь В.Ю.³, Рудь Ю.В.², Федоров Л.М.²

¹Государственный университет Молдовы, МД Кишинев, Молдавия
²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

³Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия

Поступила в редакцию: 20 июля 1998 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Разработана технология получения гетеропереходов n-GaN/Si, включающая химическое осаждение слоев GaN с толщинами до 20 мкм на подложки Si в открытой газотранспортной системе. Исследованы фотоэлектрические свойства изо- и анизотипных гетеропереходов в естественном и линейно поляризованном излучении. Обнаружена поляризационная фоточувствительность, возникающая при наклонном падении линейно поляризованного излучения на поверхность слоев GaN. Коэффициент наведенного фотоплеохроизма увеличивается с углом падения theta по квадратичному закону и при theta=~ 75^o достигает 20%. Сделан вывод о возможности использования гетеропереходов GaN/Si в качестве широкополосных фотоанализаторов линейно поляризованного излучения.

X.H. Yang, T.J. Schmidt, W. Shan, J.J. Song, B. Goldeudery. Appl. Phys. Lett., 66, 1 (1995)
S.J. Pearton, C. Kuo. MRS Bulletin (February, 1997) p. 17
S. Nakamura. MRS Bulletin (February, 1997) p. 29
M.S. Shur, M.A. Khun. MRS Bulletin (February, 1997) p. 44
Физико-химические свойства полупроводников. Справочник (М., Наука, 1979)
G.A. Martin, B.N. Sverdlov, A. Botchkarev, N. Markoc, D.J. Smith, S.Y. Then, W.N. Thompson, M.H. Nayfez. Mater. Res. Soc., 395, 67 (1996)
А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., 1975)
Ю.В. Жиляев, Н. Назаров, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Л.М. Назаров. ФТП, 27, 161 (1993)
V.Yu. Rud', Yu.V. Rud', T. Walter, H.W. Schock. Inst. Phys. Conf. Ser. N 152 (IOP Publishing Ltd., 1998) p. 971
В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 31, 245 (1997)
G.A. Medvedkin, Y.V. Rud'. Phys. St. Sol. (a), 67, 333 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель