Установлено, что в дырочном кремнии, легированном цинком в высокой концентрации (N_Zn~2·10¹⁶ см³), в результате термообработки в диапазоне температур 450/650^oC возникают неоднородности электропроводности, которые препятствуют устойчивой работе преобразователя изображения ионизационного типа. Их формирование приводит к сильному возрастанию фотопроводимости (до 10² раз), изменению ее спектральной характеристики, возникновению долговременной релаксации фототока и остаточной проводимости, появлению токовых шнуров. Наблюдаемые явления удается объяснить в рамках модели, основанной на пространственном разделении носителей, когда рекомбинации неравновесных дырок с отрицательно заряженными центрами цинка препятствуют потенциальные барьеры, образованные этими неоднородностями. Предполагается, что неоднородности потенциала в p-Si(Zn) возникают в результате перераспределения центров цинка в кристалле с образованием включений i-типа проводимости в p-матрице.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.