Вертикальный двухколлекторный тензотранзистор с ускоряющими электрическими полями в базе и эмиттере
Бабичев Г.Г.1, Козловский С.И.1, Романов В.А.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 23 февраля 1998 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1999 г.
Теоретически исследованы характеристики биполярного вертикального двухколлекторного тензотранзистора с ускоряющими электрическими полями в базе и эмиттере. Описаны его конструкция и принцип действия, а также проведена оптимизация топологии прибора. Показано, что выходной сигнал обусловлен двумя эффектами: эффектом поперечного отклонения неравновесных носителей заряда в базе и модуляцией инжекции поперечной разностью потенциалов в эмиттере.
- И.И. Бойко, В.А. Романов. ФТП, 11, 817 (1977)
- H.P. Baltes, R.S. Popovic. Proc. IEEE, 34, 1107 (1986)
- Г.Г. Бабичев, В.Н. Гузь, И.П. Жадько, С.И. Козловский, В.А. Романов. ФТП, 26, 1244 (1992)
- С.И. Козловский. ФТП, 29, 1783 (1995)
- F.F. Fang, D.D. Tang. Double carrier deflection high sensitivity magnetic sensor. US Patent No 4939563 (1990)
- Д.Д. Иваненко, А. Соколов. Классическая теория поля (М.--Л., ГИТТЛ, 1949) с. 432
- И.И. Бойко, И.П. Жадько, С.И. Козловский, В.А. Романов. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., 27, 94 (1993)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук