Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Об электрических и фотоэлектрических характеристиках изотипной гетероструктуры n-ZnO--n-Si
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 11 ноября 1998 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1999 г.
Измерены вольт-амперные и вольт-емкостные характеристики, поперечный и продольный фотоэффект в изотипных гетероструктурах n-ZnO-n-Si, полученных методом осаждения из металлоорганических соединений. Определены некоторые параметры границы раздела, механизма токопереноса и фотоэлектрические характеристики гетероструктур, представляющие интерес для оценки практического использования.
- M. Shimizu, T. Horii, T. Shiosaki, A. Kawabata. Thin sol. films, 96, 149 (1982)
- K. Ito. Surf. Sci., 86, 345 (1979)
- W.G. Oldham, A.G. Milnes. Sol. St. Electron., 7, 153 (1964)
- U.Nin, T. Matsuda, H. Sadamtzu, M. Takai. J. Appl. Phys., 53, 457 (1982)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
