Вышедшие номера
Анализ механизмов рассеяния электронов в сверхрешетке GaAs/AlxGa1-xAs с легированными квантовыми ямами при продольном резонансном токопереносе в области сильных электрических полей и низких температур
Борисенко С.И.1, Караваев Г.Ф.1
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 6 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1999 г.

Получены формулы и проведен численный анализ зависимости поперечного времени фазовой релаксации от энергии электронов при резонансном протекании тока через сверхрешетку на основе GaAs/AlxGa1-xAs с легированными квантовыми ямами. Параметры выбирались близкими к соответствующим параметрам сверхрешеток, используемых для создания фотодиодов с lambda~=10 мкм. Рассмотрение ограничивалось взаимодействием электронов с нейтральными атомами и ионами примеси при низких температурах. Резонансное протекание тока обеспечивается электрическим полем, приводящим в резонансное положение основной и первый возбужденный энергетические уровни "штарковской лестницы" соседних, слабо взаимодействующих квантовых ям.