Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Оптическая активность Yb в GaAs и низкоразмерных структурах на основе GaAs/GaAlAs

Гиппиус А.А.¹, Коннов В.М.¹, Дравин В.А.¹, Лойко Н.Н.¹, Казаков И.П.¹, Ушаков В.В.¹

¹Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 15 декабря 1998 г.

Выставление онлайн: 20 мая 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Показано, что оптическая активация Yb в GaAs и низкоразмерных структурах на основе GaAs/GaAlAs может быть достигнута путем формирования трехкомпонентных (Yb + S/Se/Te + O) центров люминесценции на базе иона Yb³⁺. Обнаружена корреляция характеристик таких центров с параметрами соактиваторов-халькогенов. Показано, что кислород играет определяющую роль в процессе передачи энергии электронно-дырочных пар центрам люминесценции.

A. Kozanecki, R. Gratzschel. J. Appl. Phys., 68, 517 (1990)
V.M. Konnov, T.V. Larikova, N.N. Loyko, V.A. Dravin, V.V. Ushakov, A.A. Gippius. Sol. St. Commun., 96, 839 (1995)
V.M. Konnov, T.V. Larikova, N.N. Loyko, V.A. Dravin, V.V. Ushakov, A.A. Gippius. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 422, 187 (1996)
A.A. Gippius, V.M. Konnov, N.N. Loyko, V.V. Ushakov, I.P. Kazakov, V.A. Dravin, N.N. Sobolev. Mater. Sci. Forum, 258--263, 917 (1997)
Н.Н. Лойко, В.М. Коннов, Т.В. Ларикова. Кр. сообщ. по физике ФИАН, N 9--10, 48 (1996)
В.М. Коннов, В.А. Дравин, Н.Н. Лойко, И.П. Казаков, А.А. Гиппиус. Кр. сообщ. по физике ФИАН (в печати)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель