Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Оптическая активность Yb в GaAs и низкоразмерных структурах на основе GaAs/GaAlAs
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия 
Поступила в редакцию: 15 декабря 1998 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1999 г.
Показано, что оптическая активация Yb в GaAs и низкоразмерных структурах на основе GaAs/GaAlAs может быть достигнута путем формирования трехкомпонентных (Yb + S/Se/Te + O) центров люминесценции на базе иона Yb3+. Обнаружена корреляция характеристик таких центров с параметрами соактиваторов-халькогенов. Показано, что кислород играет определяющую роль в процессе передачи энергии электронно-дырочных пар центрам люминесценции.
- A. Kozanecki, R. Gratzschel. J. Appl. Phys., 68, 517 (1990)
- V.M. Konnov, T.V. Larikova, N.N. Loyko, V.A. Dravin, V.V. Ushakov, A.A. Gippius. Sol. St. Commun., 96, 839 (1995)
- V.M. Konnov, T.V. Larikova, N.N. Loyko, V.A. Dravin, V.V. Ushakov, A.A. Gippius. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 422, 187 (1996)
- A.A. Gippius, V.M. Konnov, N.N. Loyko, V.V. Ushakov, I.P. Kazakov, V.A. Dravin, N.N. Sobolev. Mater. Sci. Forum, 258--263, 917 (1997)
- Н.Н. Лойко, В.М. Коннов, Т.В. Ларикова. Кр. сообщ. по физике ФИАН, N 9--10, 48 (1996)
- В.М. Коннов, В.А. Дравин, Н.Н. Лойко, И.П. Казаков, А.А. Гиппиус. Кр. сообщ. по физике ФИАН (в печати)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
