Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фототермоакустическая и фотоэлектрическая микроскопия кремния
1Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, Киев, Украина 
Поступила в редакцию: 11 августа 1998 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1999 г.
Методом совмещенной фототермоакустической и фотоэлектрической микроскопии исследованы структуры на основе кремния: эпитаксиально выращенная область n-типа в p-подложке; граница раздела p-p+, полученная имплантацией ионов бора; область вблизи вершины трещины. Делается вывод, что наиболее вероятной причиной визуализации областей эпитаксии тепловыми волнами являются упругие напряжения, возникающие в процессе изготовления структур. Показано, что пространственное распределение упругих напряжений, возникающих при ионной имплантации, визуализируется тепловыми волнами. В области вблизи вершины трещины тепловыми волнами и волнами электронно-дырочной плазмы диагностируются неоднородности в термоупругих и электрических свойствах протяженностью в сотни микрон. Обнаружена пространственная периодичность в изменениях термоупругих свойств вблизи вершины трещины с периодом ~ 85 мкм.
- A. Rosencwaig. Photoacoustics and Photoacoustic Spectroscopy (N. Y., John Wiley, 1980)
- A. Rosencwaig, G. Busse. Appl.Phys. Lett., 36, 725 (1980)
- B.C. Forget, I. Barberean, D. Furnnier, S. Tuli, A.B. Battacharyya. Appl. Phys. Lett., 69, 1107 (1996)
- А.Н. Васильев, В.А. Сабликов, В.В. Сандомирский. Изв. вузов. Физика, 30, вып. 6, 119 (1987)
- J. Opsal, A. Rosencwaig. Appl. Phys. Lett., 47, 498 (1985)
- Р.М. Бурбело, А.Л. Гуляев, А.Г. Кузьмич, И.Я. Кучеров. ЖТФ, 66, 121 (1996)
- Photoacoustic and Photothermal Phenomena. J. Progress in Natural Science, Suppl. to v. 6 (Science in China Press, Beijing, 1996)
- W. Kipert, H.-J. Obramski, R. Meckenstack, J. Pelzl, D. Fournier, V. Zammit. J. Progress in Natural Science, Suppl. to v. 6 (Science in China Press, Beijing, 1996) p. 524
- J. He, S.Y. Zhang, Z.L. Qian, Y.Y. Guo, H.B. Wang. J. Progress in Natural Science, Suppl. to v. 6 (Science in China Press, Beijing, 1996) p. 531
- Г.И. Булах, Р.М. Бурбело, А.Л. Гуляев, И.Я. Кучеров. ФТП, 24, 926 (1990)
- В.Г. Литовченко, А.П. Горбань. Основы физики микроэлектронных систем металл--диэлектрик--полупроводник (Киев, Наук. думка. 1978) с. 316
- Г. Матаре. Электроника дефектов в полупроводниках (М., Мир, 1974) с. 463
- P. Zavmsil, V. Winter, F. Cembal, M. Servidori, Z. Sovrek. Phys. St. Sol. (a), 100, 95 (1987)
- R.M. Burbelo, M.K. Zhabitenko. J. Progress in Natural Science, Suppl. to v. 6 (Science in China Press, Beijing, 1996) p. 720
- W. Jackson, N.M. Amer. J. Appl. Phys., 51, 3343 (1980)
- В.А. Калитенко, И.Я. Кучеров, В.М. Перга, В.А. Тхорик. ФТТ, 30, 3677 (1988)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
