Вышедшие номера
Радиационно-термическая активация кремния, имплантированного в арсенид галлия
Ардышев В.М.1, Суржиков А.П.1
1Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 19 октября 1998 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1999 г.

Исследованы слоевая концентрация, концентрационный профиль и подвижность электронов в легированных ионами 28Si слоях полуизолирующего GaAs после радиационного отжига с энергией электронов выше и ниже порога образования дефектов и после термического отжига в диапазоне температур Ta=590/830oC. Показано, что при энергии радиационного отжига выше порога образования дефектов формируются ионно-легированные слои при существенно меньших температурах отжига, они имеют высокую степень электрической активации кремния и малую концентрацию дефектов, ограничивающих подвижность электронов.