Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Вольт-амперные характеристики фотоприемников с блокированной прыжковой проводимостью на основе Si : As (BIB-II)

Есаев Д.Г.¹, Синица С.П.¹, Чернявский Е.В.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 8 февраля 1999 г.

Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты исследования вольт-амперных характеристик BIB (Blocked Impurity Band) структур на основе Si : As. Проведен анализ поведения темнового тока в диапазоне температур 4.2/ 25 K и смещения -3/ +3 В. Показано, что основные черты вольт-амперных характеристик определяются термополевой инжекцией носителей заряда из контактов к BIB-структуре. Детали вольт-амперных характеристик при обеих полярностях напряжения смещения связаны с генерационно-рекомбинационными процессами между зоной проводимости и примесной зоной N⁺-фотослоя. Установлено, что в блокирующем слое может накапливаться заряд обоих знаков, влияющий на формирование темновых вольт-амперных характеристик.

B.G. Martin. Sol. St. Electron., 33, 427 (1990)
В.В. Болотов, Г.Н. Камаев, Г.Н. Феофанов, В.М. Эмекскузян. ФТП, 24, 1697 (1990)
В.М. Эмекскузян, Г.Н. Камаев, Г.Н. Феофанов, В.В. Болотов. ФТП, 31, 311 (1997)
Д.Г. Есаев, С.П. Синица, Е.В. Чернявский. ФТП, 33(5), 614 (1999)
E. Simoen, B. Dierickx, L. Deferm, C. Claeys, G. Declerck. J. Appl. Phys., 68, 4091 (1990)
W.N. Safarman, T.G. Castner. Phys. Rev. B, 33, 3570 (1986)
Y.N. Yang, D.D. Coon, P.F. Shepard. Appl. Phys. Lett., 45, 752 (1984)
N. Sclar. J. Appl. Phys., 55, 2972 (1984)
Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
M.D. Petroff, M.G. Stapelbroek, W.A. Kleinhaus. Appl. Phys. Lett., 51, 406 (1987)
F. Szmulowicz, F.L. Madarsz. J. Appl. Phys., 62, 2533 (1987)
F. Szmulowicz, F.L. Madarsz, J. Diller. J. Appl. Phys., 63, 5583 (1988)
S.B. Stetson, D.B. Reynolds, M.G. Stapelbroek, R.L. Stermer. Proc. SPIE, 686, 48 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель