Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 1999, выпуск 10 » Статья стр. 1187
<<<>>>
Влияние легирования индием на формирование комплексов кремний--вакансия галлия в арсениде галлия, выращенном методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре
Куницын А.Е.1, Чалдышев В.В.1, Вуль С.П.1, Преображенский-=SUP=-*-=/SUP=- В.В.1, Путято-=SUP=-*-=/SUP=- М.А.1, Семягин-=SUP=-*-=/SUP=- Б.Р.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 мая 1999 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1999 г.
PDF версия
Проведены исследования низкотемпературной фотолюминесценции слоев арсенида галлия, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой (200oC) температуре (LT GaAs) и легированных кремнием или совместно кремнием и индием. В спектрах фотолюминесценции неотожженных образцов наблюдалась только линия, связанная с мелкими акцепторами. После отжига образцов в спектрах фотолюминесценции появлялась полоса с энергией ~ 1.2 эВ, обусловленная формированием комплексов SiGa-VGa. Определена энергия активации образования комплексов, которая оказалась близкой к энергии активации диффузии вакансий галлия, и в LT GaAs : Si составляет 1.9± 0.3 эВ. Установлено, что совместное легирование LT GaAs кремнием и индием приводит к увеличению энергии активации образования комплексов SiGa-VGa до 2.5± 0.3 эВ. Высказано предположение о том, что увеличение энергии активации связано с взаимодействием вакансий галлия с индием за счет локальных деформаций решетки.
  1. E.W. Williams. Phys. Rev., 168, 922 (1968)
  2. E.W. Williams, H.B. Bell. In: Semiconductors and Semimetals, ed. by R.K. Willardson and G.C. Beer (Academic Press, N.Y.--London) 8, 321 (1972)
  3. Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Е. Седов. ФТП, 30, 1123 (1996)
  4. M. Kaminska, Z. Liliental-Weber, E.R. Weber, T. George, J.B. Kortright, F. Smith, B.Y. Tsaur, A.R. Calawa. Appl. Phys. Lett., 54, 1881 (1989)
  5. J. Gebauer, R. Krause-Rehberg, S. Eichler, M. Luysberg, H. Sohn, E.R. Weber. Appl. Phys. Lett., 71, 638 (1997)
  6. X. Liu, A. Prasad, J. Nishio, E.R. Weber, Z. Liliental-Weber, W. Walukiewicz. Appl. Phys. Lett., 67, 279 (1995)
  7. Z. Liliental-Weber, X.W. Lin, J. Washburn, W. Schaff. Appl. Phys. Lett., 66, 2086 (1995)
  8. C. Kisielowski, A.R. Calawa, Z. Liliental-Weber. J. Appl. Phys., 80, 156 (1996)
  9. N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, Yu.G. Musikhin, A.A. Suvorova, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, P. Werner. Appl. Phys. Lett., 74, 1442 (1999)
  10. Н.А. Берт, А.И. Вейнгер, М.Д. Вилисова, С.И. Голощапов, И.В. Ивонин, С.В. Козырев, А.Е. Куницын, Л.Г. Лаврентьева, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков, В.В. Чалдышев, М.П. Якубеня. ФТТ, 35, 2609 (1993)
  11. I.A. Bobrovnikova, L.G. Lavrentieva, M.P. Rusaikin, M.D. Vilisova. J. Cryst. Growth, 123, 529 (1992)
  12. J.--L. Rouviere, Y. Kim, J. Cunningham, J.A. Rentschler, A. Bourret, A. Ourmazd. Phys. Rev. Lett., 68, 2798 (1992)
  13. D.E. Bliss, W. Walukiewicz, J.W. Ager, E.E. Haller, K.T. Chan, S. Tanigawa. J. Appl. Phys., 71, 1699 (1992)
  14. S.A. McQuaid, R.C. Newman, M. Missous, S. O'Hagan. Appl. Phys. Lett., 61, 3008 (1992)
  15. N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, A.E. Kunitsyn, Yu.G. Musikhin, N.N. Faleev, V.V. Tretyakov, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin. Appl. Phys. Lett., 70, 3146 (1997)
  16. M. Luysberg, H. Sohn, A. Prasad, P. Specht, Z. Liliental--Weber, E.R. Weber, J. Gebauer, R. Krause-Rehberg. J. Appl. Phys., 83, 561 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme