Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Oxygen and erbium related donor centers in Czochralski grown silicon implanted with erbium

Emtsev V.V.¹, Emtsev, jr. V.V.¹, Poloskin D.S.¹, Shek E.I.¹, Sobolev N.A.¹, Michel J.², Kimerling L.C.²

¹Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St.Petersburg, Russia
²Materials Processing Center, MIT, MA Cambridge, USA

Поступила в редакцию: 8 июня 1999 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Hall effect measurements were conducted on Czochralski grown silicon after implantation of erbium and two step annealing at 700^oC and 900^oC. At the first step the formation of oxygen-related shallow donors at E_c-20...40 meV as well as erbium-related donor centers at ~E_c-70 meV and ~E_c-120 meV is observed. Along with the same oxygen-related shallow thermal donors and donor centers at ~E_c-70 meV, other donor centers at ~E_c-150 meV are formed following the 900^oC anneal, instead of those at ~E_c-120 meV. The new donor states are of keen interest because of their possible involvement in the photoluminescence process. The obtained results for erbium-implanted silicon are compared to some fragmentary DLTS data available in current literature on the donors with ionization energies less than 0.2 eV.

J.L. Benton, J. Michel, L.C. Kimerling, D.C. Jacobson, Y.H. Xie, D.J. Eaglesham, E.A. Fitzgerald, J.M. Poate. J. Appl. Phys., 70, 2667 (1991)
S. Libertino, S. Coffa, G. Franzo, F. Priolo. J. Appl. Phys., 78, 3867 (1995)
H. Przybylinska, W. Jantsch, Yu. Suprun-Belevitch, M. Stepikhova, L. Palmetshofer, G. Hendorfer, A. Kozanecki, R.J. Wilson, B.J. Sealy. Phys. Rev. B, 54, 2532 (1996)
J. Michel, L.J. Benton, R.F. Ferrante, D.C. Jacobson, D.J. Eaglesham, E.A. Fitzgerald, Y.-H. Xie, J.M. Poate, L.C. Kimerling. J. Appl. Phys., 70, 2672 (1991)
V.V. Emtsev, G.A. Oganesyan, K. Schmalz, Solid State Phenomena, ed. by H. Richter, M. Kittler, and C. Claeys (Scitec Publications Ltd, Switzerland, 1996), v. 47--48, p. 259
В.В. Емцев, Д.С. Полоскин, Н.А. Соболев, Е.И. Шек. ФТП, 28, 1084 (1994)
В.В. Емцев, В.В. Емцев (мл.), Д.С. Полоскин, Н.А. Соболев, Е.И. Шек, J. Michel, L.C. Kimerling. ФТП, 33, 649 (1999)
F. Priolo, G. Franzo, S. Coffa, A. Carnera. Phys.Rev. B, 57, 4443 (1998)
J. Palm, F. Gan, B. Zheng, J. Michel, L.C. Kimerling. Phys. Rev. B, 54, 17 603 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель