Вышедшие номера
Электронные свойства обработанной HCl поверхности GaAs
Венгер Е.Ф.1, Кириллова С.И.1, Примаченко В.Е.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 15 июня 1998 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1999 г.

Система поверхностных электронных состояний (100) поверхности n-GaAs после обработки ее в HCl становится стабильной при изменении температуры в диапазоне 300-100 K. Полученные из электрополевых зависимостей поверхностной фотоэдс распределения эффективной плотности поверхностных электронных состояний в запрещенной зоне GaAs зависят от температуры измерения. Это связано с проявлением в электрополевых измерениях электронных состояний, находящихся как на границе раздела GaAs-поверхностная пленка, так и в самих пленках. Обработка в HCl, а тем более обработка в HCl с последующей промывкой водой снижают плотности электронных состояний обоих видов, а также уменьшают концентрации глубоких и мелких ловушек для неравновесных дырок.