Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4 5 6
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Упругие напряжения и состав самоорганизующихся наноостровков GeSi на Si (001)

Востоков Н.В.¹, Гусев С.А.¹, Долгов И.В.¹, Дроздов Ю.Н.¹, Красильник З.Ф.¹, Лобанов Д.Н.¹, Молдавская Л.Д.¹, Новиков А.В.¹, Постников В.В.¹, Филатов Д.О.²

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

²Нижегородский региональный центр сканирующей зондовой микроскопии, Нижегородский государственный университет, Нижний Новгород, Россия

Поступила в редакцию: 17 июня 1999 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты исследования роста самоорганизующихся наноостровков Ge на Si (001) при 700^oC и изменения их параметров в процессе отжига. Получены островки с малым разбросом (~ 6%) по латеральным размерам и высоте. Из спектров комбинационного рассеяния света и рентгенодифракционных исследований обнаружено растворение Si в островках, определена его доля в твердом растворе Si_xGe_1-x и измерены упругие напряжения в островках. Установлено, что в процессе отжига структур с наноостровками происходит увеличение доли Si в островках. Это изменение состава приводит к изменению формы и размеров островков.

Y.M. Mo, D.E. Savage, B.S. Swartzentruber, M.G. Lagally. Phys. Rev. Lett., 71, 2082 (1990)
G. Medeiros--Ribeiro, A.M. Bratkovski, T.I. Kamins et al. Science, 279, 353 (1998)
T.I. Kamins, E.C. Carr, R.S. Williams, S.J. Rosner. J. Appl. Phys., 81, 211 (1997)
F.M. Ross, J. Tersoff, R.M. Tromp. Phys. Rev. Lett., 80, 984 (1998)
M.I. Alonso, K. Winner. Phys. Rev. B, 39, 10 056 (1989)
J. Groenen, R. Carles et al. Appl. Phys. Lett., 71, 3856 (1997)
Y. Chen. J. Washburn. Phys. Rev. Lett., 77, 4046 (1996)
A.-L. Barabasi. Appl. Phys. Lett., 70, 2565 (1997)
G. Abstreiter, P. Schittenhelm, C. Engel et al. Semicond. Sci. Technol., 11, 1521 (1996)
T.I. Kamins, G. Medeiros--Ribero, D.A.A. Ohlberg, R.S. Williams. J. Appl. Phys., 85, 1159 (1999)
С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. УФН, 168, 1103 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель